[实用新型]LED芯片外延结构有效
| 申请号： | 201520646621.7 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN204857767U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 庄德津 | 申请（专利权）人： | 青岛铝镓光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京市路盛律师事务所 11326 | 代理人： | 王桂玲;李宓 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片外延结构，其特征在于：包括硅衬底层，所述硅衬底层上方从下到上依次设置有缓冲层、下接触层、发光层、上接触层以及透明导电层；其中所述缓冲层由间隔分布的从所述硅衬底层上凸出的若干个凸起形成。
2.根据权利要求1所述的LED芯片外延结构，其特征在于：所述硅衬底层的厚度为80-100um。
3.根据权利要求1所述的LED芯片外延结构，其特征在于：缓冲层为GaN缓冲层，包括低温缓冲层和高温缓冲层。
4.根据权利要求1所述的LED芯片外延结构，其特征在于：所述发光层为InGaN或GaN发光层。
5.根据权利要求1所述的LED芯片外延结构，其特征在于：所述下接触层为n型GaN接触层，上接触层为P型GaN接触层。
6.根据权利要求1所述的LED芯片外延结构，其特征在于：所述上接触层为n型GaN接触层，下接触层为P型GaN接触层。
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