[实用新型]一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器

权利要求书

1.一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，包括从左到右依次沿光路安放的半导体激光泵浦源、谐振腔入射镜、可饱和吸收片、自倍频激光晶体及谐振腔输出镜，其特征在于，所述自倍频激光晶体为Nd:CNGS晶体或Nd:CTGS晶体，所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的通光方向长度为(0.1-100)mm，所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向。

2.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器还包括聚焦系统，所述聚焦系统安放在所述半导体激光泵浦源及所述谐振腔入射镜之间，所述自倍频激光晶体安放在所述聚焦系统的焦距上。

3.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的通光方向长度为(5-20)mm；所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体均为长方体或柱状。

4.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd:CNGS晶体的I类相位匹配的切割角为(θ,φ)，其中，θ的取值范围为31.6°-41.6°，φ的取值范围为25.0°-35.0°，所述Nd:CNGS晶体的II类相位匹配的切割角为(θ1,φ1)，其中，θ1的取值范围为51.5°-61.5°，φ1的取值范围为-5°-5°；所述Nd:CTGS晶体的I类相位匹配的切割角为(θ2,φ2)，θ2的取值范围为33.7°-43.7°，φ2的取值范围为25.0°-35.0°，所述Nd:CTGS晶体的II类相位匹配的切割角为(θ3,φ3)，θ3的取值范围为56.1°-66.1°，φ3的取值范围为(-5)°-5°。

5.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述谐振腔入射镜镀到所述可饱和吸收片上，所述可饱和吸收片左侧通光端面上镀有对(798-818)nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜，所述可饱和吸收片右侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm的增透膜；所述谐振腔输出镜镀到所述自倍频激光晶体上，所述自倍频激光晶体的左侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm、532nm增透膜，所述自倍频激光晶体的右侧通光端面上镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。

6.根据权利要求2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述谐振腔入射镜镀到所述可饱和吸收片上，所述可饱和吸收片左侧通光端面上镀有对(798-818)nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜，所述可饱和吸收片右侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm的增透膜。

7.根据权利要求2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述谐振腔输出镜镀到所述自倍频激光晶体上，所述自倍频激光晶体的左侧通光端面上镀有(798-818)nm、1064nm、532nm增透膜，所述自倍频激光晶体的右侧通光端面上镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、532nm增透膜。

8.根据权利要求2或6所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd:CNGS晶体或所述Nd:CTGS晶体的两个通光端面抛光后镀有(798-818)nm、1064nm、532nm增透膜。

9.根据权利要求2或7所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述可饱和吸收片的两端面均镀有(798-818)nm、1064nm增透膜。

10.根据权利要求1或2所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述半导体激光泵浦源为中心波长为(798-818)nm的直接输出半导体激光器或光纤耦合输出半导体激光器；所述谐振腔入射镜镀有对(798-818)nm光高透、对1064nm光和532nm光高反的介质膜；所述谐振腔输出镜镀有对(798-818)nm光和1064nm光高反、对532nm光高透的介质膜；所述可饱和吸收片为Cr:YAG晶体、GaAs半导体、石墨烯、MoS₂、WS₂中的任一种。