[实用新型]一种雪崩光电二极管的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种雪崩光电二极管的封装结构。

背景技术

雪崩光电二极管，英文缩写为APD，是一种具有内增益的光生电流器件，它 利用光生载流子在强电场内的定向运动，产生的雪崩效应获得光电流的增益。 雪崩光电二极管结构精密，规格多种多样。因此，在使用雪崩光电二极管时， 要小心谨慎，针对不同的应用场合，人们应选择结构、规格与之相应的雪崩光 电二极管，这样，就不会造成一些不必要的麻烦。

发明内容

针对上述现有技术中的不足之处，本实用新型旨在提供一种雪崩光电二极 管的封装结构。

一种雪崩光电二极管的封装结构，包括APD芯片、镀膜玻璃光窗、陶瓷管 座。所述陶瓷管座上有放置APD芯片的空间；陶瓷管座内设有与APD芯片电性 连接的管座NC极、管座APD阴极和管座APD阳极。

进一步的，陶瓷管座包括陶瓷管座顶层、陶瓷管座中间层、陶瓷管座底层。

进一步的，管座NC极、管座APD阴极设置在所述陶瓷管座中间层上；管座 APD阳极设置在陶瓷管座底层上。

进一步的，管座APD阴极与所述APD芯片的芯片光敏面环形电极电性连接； 管座APD阳极与APD芯片的芯片背电极电性连接。

进一步的，APD芯片与管座APD阴极、管座APD阳极电性连接的材质以及单 独的管座NC极的材质为导电涂料。

进一步的，陶瓷管座上设有用于层间导电，且分别与管座NC极、管座APD 阴极、管座APD阳极相匹配的半圆形导电凹槽。

本实用新型是一种无引脚芯片载体封装。本实用新型陶瓷管座底面只有电 极接触而无引脚。本实用新型适合于所有的雪崩光电二极管，使得雪崩光电二 极管器件封装实现小型化。本实用新型在不改变雪崩光电二极管特性的情况下， 可使雪崩光电二极管有一个统一的规格，方便雪崩光电二极管安装使用，同时 也对雪崩光电二极管起保护的作用。

附图说明

图1是本实用新型的结构图；

图2是陶瓷管座顶层的结构图；

图3是陶瓷管座中间层的结构图；

图4是陶瓷管座底层的结构图；

图5是APD芯片的立体图。

图中，1-APD芯片；2-镀膜玻璃光窗；3-陶瓷管座；31-陶瓷管座顶层；32- 陶瓷管座中间层；33-陶瓷管座底层；4-管座NC极；5-管座APD阴极；6-管座 APD阳极。

具体实施方式

下面结合具体实施例及附图来进一步详细说明本实用新型。

一种如图1-图5所示的雪崩光电二极管的封装结构，包括APD芯片1、镀 膜玻璃光窗2、陶瓷管座3。陶瓷管座3上有放置APD芯片1的空间；陶瓷管座 3内设有与APD芯片1电性连接的管座NC极4、管座APD阴极5和管座APD阳 极6。陶瓷管座3包括陶瓷管座顶层31、陶瓷管座中间层32、陶瓷管座底层33。 管座NC极4、管座APD阴极5设置在陶瓷管座中间层32上；管座APD阳极6设 置在陶瓷管座底层33上。管座APD阴极5与APD芯片1的光敏面环形电极电性 连接；管座APD阳极6与APD芯片1的芯片背电极电性连接。APD芯片1与管座 APD阴极5、管座APD阳极6电性连接的材质为导电涂料；管座NC极4所用材 质为导电涂料。陶瓷管座3上设有用于陶瓷管座顶层31、陶瓷管座中间层32、 陶瓷管座底层33层间导电，且分别与管座NC极4、管座APD阴极5、管座APD 阳极6相匹配的半圆形导电凹槽。

以上对本实用新型实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用 了具体个例对本实用新型实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例 的说明只适用于帮助理解本实用新型实施例的原理；同时，对于本领域的一般 技术人员，依据本实用新型实施例，在具体实施方式以及应用范围上均会有改 变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。