[实用新型]基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片

权利要求书

1.基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片，其特征在于从下到上依次包括金属基板、电镀种子层、反射电极层、侧壁保护层、具有倒梯形结构的GaN外延层，和n型电极层。

2.根据权利要求1所述的基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片，其特征在于所述金属基板为金属镍，厚度为80μm。

3.根据权利要求1所述的基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片，其特征在于所述电镀种子层结构为Ni/Au，Cr/Au，Ti/Au，Cr/Pt/Au中的一种，电镀种子层的厚度为200nm～10um。

4.根据权利要求1所述的基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片，其特征在于所述电镀种子层的面积等于金属基板的面积；反射电极的面积小于电镀种子层的面积。

5.根据权利要求1所述的基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片，其特征在于所述反射电极层为Ni/Ag或Ni/Au+Al或ITO+Ag，所述反射电极层厚度为150nm～500nm。

6.根据权利要求1所述的基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片，其特征在于所述GaN侧壁保护层为绝缘层SiO2或SiN，其厚度范围为800~1500nm,侧壁保护层覆盖住GaN外延层侧壁。

7.根据权利要求1所述的基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片，其特征在于所述GaN外延层的结构从下到上依次包括p-GaN层、有源区和n-GaN层；所述GaN外延层的厚度为2～4μm。

8.根据权利要求1所述的基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片，其特征在于倒梯形状的GaN外延层的侧壁倾斜角为40～70度；所述的倒梯形状的GaN外延层最表层的n-GaN层是N极性氮化镓。

9.根据权利要求1所述的基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片，其特征在于所述n型电极层电极厚度范围为500nm～1500nm。