[实用新型]低通滤波结构、天线罩及天线系统

权利要求书

1.一种低通滤波结构，其特征在于，包括：至少两层导电几何结构层与设置在相邻两层所述导电几何结构层之间的介质层，所述至少两层导电几何结构层均包括多个相互不相连的导电片状结构(100)，其中，所述至少两层导电几何结构层中任意相邻两层的所述导电几何结构层中的相应的所述导电片状结构(100)至少部分重合。

2.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于，所述至少两层导电几何结构层包括第一层导电几何结构层(10)和第二层导电几何结构层(20)，所述第一层导电几何结构层(10)的各所述导电片状结构(100)与所述第二层导电几何结构层(20)的相应的所述导电片状结构(100)相重合。

3.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于，其中一层所述导电几何结构层中的各所述导电片状结构(100)与相邻层的所述导电几何结构层中的对应的所述导电片状结构(100)的大小不相同。

4.根据权利要求2所述的低通滤波结构，其特征在于，所述第一层导电几何结构层(10)与所述第二层导电几何结构层(20)之间还设置有辅助层(30)，所述第一层导电几何结构层(10)与所述辅助层(30)之间以及所述辅助层(30)与所述第二层导电几何结构层(20)之间均设置有所述介质层，所述辅助层(30)包括多个相互不相连的导电十字型结构(200)，每个所述导电十字型结构(200)与相邻的所述导电几何结构层中的相邻四个所述导电片状结构(100)之间的间隙位置相对设置。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的低通滤波结构，其特征在于，各层所述导电几何结构层的所述多个导电片状结构(100)呈矩形阵列分布。

6.根据权利要求5所述的低通滤波结构，其特征在于，所述导电片状结构(100)为方片。

7.根据权利要求6所述的低通滤波结构，其特征在于，各层所述导电几何结构层的相邻两个所述方片之间的相邻边的距离L1满足：1.7mm≤L1≤2.5mm。

8.根据权利要求6所述的低通滤波结构，其特征在于，所述方片的边长h满足：4.3mm≤h≤5.3mm。

9.根据权利要求4所述的低通滤波结构，其特征在于，所述多个导电十字型结构(200)排列成多行，相邻两行的导电十字型结构(200)相互错开设置。

10.根据权利要求9所述的低通滤波结构，其特征在于，每个所述导电十字型结构(200)的中心的投影与相邻的所述导电几何结构层中的相邻的所述四个导电片状结构(100)围成的矩形区域的中心的投影相重合。

11.根据权利要求9所述的低通滤波结构，其特征在于，相邻三行的中间行的每个所述导电十字型结构(200)的中心与另外两行的相邻四个所述导电十字型结构(200)围成的矩形区域的中心相重合。

12.根据权利要求10所述的低通滤波结构，其特征在于，所述导电十字型结构(200)包括相互垂直的横边与纵边，所述横边的长度a与所述纵边的长度b满足：a＝b，且12.4mm≤a≤13.4mm。

13.根据权利要求12所述的低通滤波结构，其特征在于，围成矩形区域的相邻四个所述导电十字型结构(200)中的相邻两个导电十字型结构(200)的相邻端部之间的距离L2满足：0.6mm≤L2≤1.6mm。

14.根据权利要求4所述的低通滤波结构，其特征在于，所述介质层包括第一基板(41)与第二基板(42)，所述第一基板(41)位于所述第一层导电几何结构层(10)与所述辅助层(30)之间，所述第二基板(42)位于所述辅助层(30)与所述第二层导电几何结构层(20)之间。

15.根据权利要求14所述的低通滤波结构，其特征在于，所述介质层还包括第三基板(43)与第四基板(44)，所述第一层导电几何结构层(10)粘接在所述第三基板(43)与所述第一基板(41)之间，所述辅助层(30)粘接在所述第一基板(41)与所述第二基板(42)之间，所述第二层导电几何结构层(20)粘接在所述第二基板(42)与所述第四基板(44)之间。