[实用新型]一种多晶硅断裂硅芯的连接结构

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅断裂硅芯的连接结构。

背景技术

目前，多晶硅的生产方法主要采用西门子法，其主要是在还原炉中使硅芯发生还原反应生成多晶硅。原理是：硅芯还原反应是在一个密闭的还原炉中进行，在装炉前先在还原炉内用硅芯搭接成若干个闭合回路，每个闭合回路都由两根竖硅芯和一根横硅芯组成。每一个闭合回路的两个竖硅芯分别接在炉底上的两个电极上，电极分别接直流电源的正负极，然后对硅芯进行加热，加热中一组搭接好的硅芯相当于一个大电阻，向密闭的还原炉内通入氢气和三氯氢硅，进行还原反应。由此，所需的多晶硅就会在硅芯表面生成。

该方法中，组成闭合回路的硅芯都是由原生多晶硅棒通过切割为特定的长度，否则无法装载于还原炉中。在使用原生多晶硅棒切割获得硅芯的工艺过程中，由于受应力、刀具、卡具等因素的影响，部分硅芯发生断裂，长度达不到装载于还原炉中要求，无法使用。目前因切割断裂的硅芯通常都是作为废弃物料回收，但是硅芯的制作成本较高，如弃之不用，会造成很大浪费。

发明内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种多晶硅断裂硅芯的连接结构，以使断裂的硅芯连接后达到要求的长度，可在还原炉中反应生成多晶硅，满足生产需要，极大地减少了硅芯的浪费，提高了切割收率。

为了达到上述的目的，本实用新型采用了如下的技术方案：

一种多晶硅断裂硅芯的连接结构，其包括第一断裂硅芯和第二断裂硅芯，其中，还包括一连接硅芯，所述第一断裂硅芯的一端面开设有第一锥形孔，所述第二断裂硅芯的一端开设有第二锥形孔；所述连接硅芯包括连接主体以及从所述连接主体的两端延伸出的连接部，所述连接部具有与所述第一锥形孔和第二锥形孔相适配的锥形台结构；将两个连接部分别装配于所述第一锥形孔和第二锥形孔，第一断裂硅芯和第二断裂硅芯通过所述连接硅芯相互连接。

优选地，所述第一锥形孔和第二锥形孔以及所述连接部的锥度为1：8～12。

优选地，所述第一锥形孔和第二锥形孔以及所述连接部的锥度为1：10。

优选地，所述连接部的长度为30±5mm。

优选地，所述连接主体与所述第一断裂硅芯和第二断裂硅芯具有相同的外周形状。

优选地，所述第一断裂硅芯和第二断裂硅芯以及所述连接主体的横截面宽度为8±1mm，高度为8±1mm。

相比于现有技术，本实用新型提供的多晶硅断裂硅芯的连接结构，可以使断裂的硅芯连接后达到要求的长度，可在还原炉中反应生成多晶硅，满足生产需要，极大地减少了硅芯的浪费，提高了切割收率。

附图说明

图1是本实用新型实施例中的多晶硅断裂硅芯的连接结构在分离状态的结构示意图。

图2是本实用新型实施例中的多晶硅断裂硅芯的连接结构在连接状态的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实例，而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护范围。

参阅图1和图2，本实施例提供了一种多晶硅断裂硅芯的连接结构，其包括第一断裂硅芯1、第二断裂硅芯2以及一连接硅芯3。其中，第一断裂硅芯1和第二断裂硅芯2是指在使用原生多晶硅棒切割获得硅芯的工艺过程中，由于受应力、刀具、卡具等因素的影响，部分硅芯发生断裂，长度达不到装载于还原炉中要求而无法使用的硅芯。连接硅芯3的目的是将这些断裂硅芯连接起来，使其可以达到装载于还原炉中的长度要求。

具体地，如图1和图2所示的，在该连接结构中，所述第一断裂硅芯1的一端面开设有第一锥形孔11，所述第二断裂硅芯2的一端开设有第二锥形孔21。所述连接硅芯3包括连接主体31以及从所述连接主体31的两端延伸出的连接部32，所述连接部32具有与所述第一锥形孔11和第二锥形孔21相适配的锥形台结构。将两个连接部32分别装配于所述第一锥形孔11和第二锥形孔21，由此，第一断裂硅芯1和第二断裂硅芯2通过所述连接硅芯3相互连接。其中，所述连接主体31与所述第一断裂硅芯1和第二断裂硅芯2最好是具有相同的外周形状，例如其横截面都为方形，横截面宽度为8±1mm，高度为8±1mm。

作为一个优选的实施方案，所述第一锥形孔11和第二锥形孔21以及所述连接部32的锥度可以选择为1：8～12。更为优选的是，该锥度的数值为1：10。