[实用新型]一种超声波雾化片高精度扫频电路有效

专利信息
申请号: 201520587095.1 申请日: 2015-08-06
公开(公告)号: CN204906355U 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 郑瑶;郭耀波 申请(专利权)人: 深圳市尚进电子科技有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;F24F6/12
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 曾少丽
地址: 518101 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 超声波 雾化 高精度 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及雾化片领域,特别是指一种超声波雾化片高精度扫频电路。

背景技术

超声波雾化器利用电子高频震荡(振荡频率为1.7MHz或2.4MHz,超过人的听觉范围,该电子振荡对人体及动物绝无伤害),通过陶瓷雾化片的高频谐振,将液态水分子结构打散而产生自然飘逸的水雾,再通过小风扇把雾从底部吹向出口,使空气湿润并伴生丰富的负氧离子,能清新空气,增进健康,营造舒适的环境。

由于现有的制造技术参差不齐,造成目前市场上不同的厂家和批次的超声波雾化片中心谐振频率不同,在驱动它工作的时候如果驱动频率不是它的中心谐振频率的话会造成雾化片的换能效率底下并且雾化量极小。

实用新型内容

本实用新型提出一种超声波雾化片高精度扫频电路和扫频方法,能够确定雾化片的中心谐振频率,从而确定驱动雾化片工作的驱动频率,进而提高雾化片的换能效率和雾化量。

本实用新型的技术方案是这样实现的:一种超声波雾化片高精度扫频电路,包括升压电路和扫频电路,升压电路与扫频电路电连接,升压电路包括第四电容、二极管、第二电感、第二三极管、第一电阻和第二电阻;第四电容和二极管均与直流电源并联,二极管的负极引脚与直流电源的正极连接,并与第二电感的一端连接,第二电感的另一端连接第二三极管的漏极和第一电阻,第一电阻和第二电阻串接,第二三极管的源极和第二电阻连接直流电源的负极。

进一步的,扫频电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第一电感、第一三极管和雾化片;第二电容与第一电阻和第二电阻并联,第二电容的正极连接第一电感,第一电感的另一端连接第一三极管的漏极和第一电容;第一电容、雾化片和第三电容串接,第三电容分别与第二电容和第一三极管的源极连接。第一三极管的栅极为频率接收点,其频率占空比大于或等于50%。

进一步的,第一电阻和第二电阻的串接点为电压反馈点,电压反馈点在扫频的时候用来记录电压值的变化,电压反馈点在正常工作的时候用于调整第二三极管的栅极的输入频率,输入频率的占空比为20%-60%。

进一步的,第一三极管和第二三级管均为N沟道场效应管。

本实用新型的有益效果在于:

1、改进了超声波雾化片电路扫频的精度,并且能够广泛的适用于各种超声波雾化片频率的测量和驱动;

2、因为不需要基于脉冲信号的最高点测量,因此可以进行兆赫兹级别的超声波雾化片频率扫描;

3、不需要对不同型号的雾化片进行区别补偿了,因此可真正意义上的驱动任意超声波雾化片。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中超声波雾化片高精度扫频电路的电路图;

图2为现有技术中超声波雾化片高精度扫频方法的流程图;

图3为本实用新型一种超声波雾化片高精度扫频电路的电路图;

图4为本实用新型一种超声波雾化片高精度扫频方法的流程图;

图5为本实用新型测量的电压反馈点的电压变化曲线图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示,图中的W1表示超声波雾化片,因为超声波雾化片的特性能够采用电容来表示,超声波雾化片相当于一个在特定频率下的电容,图中的C1、C3在电路处于PWM交流信号的情况下等同于一个电阻,在这个电路中有2个作用,一是防止直流电压加在雾化片两端,保护雾化片不会烧毁,二是在交流电路中相当于2个电阻,可以通过调整容量大小来调整雾化片的雾化量大小。向电路中的三极管的栅极输入90-130KHz的频率,并且从90KHz开始以1KHz为单位进行递增,其电路工作原理如下:

1、第一个周期,Q1MOS管打开,电流通过L1、Q1、RS1,并且此时L1开始储能;

2、第二个周期,Q1MOS管关闭,L1储存的能量释放,电流流入W1,W1开始储能;

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