[实用新型]一种近耦合或密耦合集成电路卡

权利要求书

1.一种近耦合或密耦合集成电路卡，包括上层主体、下层主体、线圈及芯片，其中上、下层主体相连，所述下层主体朝向上层主体的表面上分别设有线圈凹槽及芯片凹槽，所述线圈及芯片分别容置于该线圈凹槽及芯片凹槽内，夹在所述上、下层主体之间；其特征在于：所述上层主体(1)为双层结构，即所述上层主体(1)的一面与所述下层主体(2)连接，另一面设有吸波导磁层(7)。

2.按权利要求1所述的近耦合或密耦合集成电路卡，其特征在于：所述上层主体(1)另一面的边缘沿厚度方向向上延伸、形成吸波导磁层凹槽(8)，所述吸波导磁层(7)容置于该吸波导磁层凹槽(8)内。

3.按权利要求2所述的近耦合或密耦合集成电路卡，其特征在于：所述吸波导磁层(7)的上表面与上层主体(1)边缘的上表面共面。

4.按权利要求2所述的近耦合或密耦合集成电路卡，其特征在于：所述上层主体(1)及下层主体(2)的形状相同，位于所述吸波导磁层凹槽(8)下方的上层主体(1)的厚度与吸波导磁层(7)的厚度相同，且为所述下层主体(2)厚度的二分之一。

5.按权利要求1所述的近耦合或密耦合集成电路卡，其特征在于：所述上层主体(1)、下层主体(2)及吸波导磁层(7)的形状相同，所述上层主体(1)的厚度与吸波导磁层(7)的厚度相同，且为所述下层主体(2)厚度的二分之一。