[实用新型]一种高幅相一致性的三通道接收前端

权利要求书

1.一种高幅相一致性的三通道接收前端，其特征在于：本三通道接收前端由三个并联的支路电路组成，三个支路电路的结构均相同；

每个支路电路均包括限幅低噪声放大器模块（1）、射频STC模块（2）、镜频抑制滤波器模块（3）、放大混频模块（4）、衰减放大模块（5）、中频滤波放大模块（6）、中频AGC模块（7）、中频放大模块（8）；所述限幅低噪声放大器模块（1）的输入端连接输入信号，所述限幅低噪声放大器模块（1）的信号输出端与所述射频STC模块（2）的信号输入端相连，所述射频STC模块（2）的信号输出端与所述镜频抑制滤波器模块（3）的信号输入端相连，所述镜频抑制滤波器模块（3）的信号输出端与所述放大混频模块（4）的信号输入端相连，所述衰减放大模块（5）的信号输出端与所述放大混频模块（4）的信号输入端相连，所述放大混频模块（4）的信号输出端与所述中频滤波放大模块（6）的信号输入端相连，所述中频滤波放大模块（6）的信号输出端与所述中频AGC模块（7）的信号输入端相连，所述中频AGC模块（7）的信号输出端与所述中频放大模块（8）的信号输入端相连。

2.如权利要求1所述的一种高幅相一致性的三通道接收前端，其特征在于：所述限幅低噪声放大器模块（1）包括前端3dB电桥（11）、限幅电路（13）、放大电路（14）、后端3dB电桥（15）；所述前端3dB电桥（11）的隔离端（12）、输入端分别连接吸收负载、输入信号，所述前端3dB电桥（11）的两个信号输出端分别连接一个限幅电路（13），两个所述限幅电路（13）的信号输出端各自分别连接一个放大电路（14），两个所述放大电路（14）的信号输出端连接所述后端3dB电桥（15）的两个输入端，所述后端3dB电桥（15）的信号输出端与所述射频STC模块（2）的信号输入端相连。

3.如权利要求2所述的一种高幅相一致性的三通道接收前端，其特征在于：所述限幅电路（13）采用两级限幅二极管WI0001H，两级限幅二极管连接方式为并联结构；所述放大电路（14）采用单级赝晶高电子迁移率晶体管TC2384。

4.如权利要求1所述的一种高幅相一致性的三通道接收前端，其特征在于：所述射频STC模块（2）型号为美国Hittite公司生产的6位、步进0.5dB砷化镓数控衰减器HMC424G16。

5.如权利要求1所述的一种高幅相一致性的三通道接收前端，其特征在于：所述镜频抑制滤波器模块（3）采用椭圆函数形式的滤波器，所述镜频抑制滤波器模块（3）的壳体采用独立腔体。

6.如权利要求1所述的一种高幅相一致性的三通道接收前端，其特征在于：所述放大混频模块（4）前端放大器的型号为SGA-4586，后端混频器型号为美国Hittite公司生产的平衡混频器HMC207S8。

7.如权利要求1所述的一种高幅相一致性的三通道接收前端，其特征在于：所述衰减放大模块（5）前端采用∏型衰减器，所述衰减放大模块（5）后端放大器的型号为SGA-4586。

8.如权利要求1所述的一种高幅相一致性的三通道接收前端，其特征在于：所述中频滤波放大模块（6）前端的中频滤波器采用椭圆函数形式的滤波器，所述中频滤波器的壳体采用独立腔体，所述中频滤波放大模块（6）后端放大器的型号为SGA-4586。

9.如权利要求1所述的一种高幅相一致性的三通道接收前端，其特征在于：所述中频AGC模块（7）型号为美国Hittite公司生产的6位、步进0.5dB砷化镓数控衰减器HMC424G16。

10.如权利要求1所述的一种高幅相一致性的三通道接收前端，其特征在于：所述中频放大模块（8）放大器的型号为SGA-4586。