[实用新型]新型纳米加强型防粘半导电无纺布

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种新型纳米加强型防粘半导电无纺布，主要应用于高压矿用电缆，大截面中压电缆上。

背景技术

目前市场上半导电无纺布虽有纳米性功能，其表面电阻、体积电阻也很低，但表面在瞬时高温下会粘结、熔化，无防水、防电缆料渗透功能，且其拉力小，不适用大截面及高速绕包的要求。

实用新型内容

本实用新型针对上述缺陷，目的在于提供一种导电性能优，拉张强度大、防水、防渗透、抗酸碱、抗辐射与橡胶PE、PVC类产品接触不起反应的新型纳米加强型防粘半导电无纺布。

为此本实用新型采用的技术方案是：本实用新型包括纳米半导电无纺布和通过半导电硅胶粘结剂粘结在纳米半导电无纺布上的聚酯薄膜。

所述聚酯薄膜表面凃设有防粘半导电硅胶。

所述纳米半导电无纺布由1.5-2.5dtex粗细的纳米性功能涤纶纤维纺织而成，所述的纳米半导电无纺布克重在50-100g/m²。

所述聚酯薄膜厚度为0.025-0.05mm。

新型纳米加强型防粘半导电无纺布的加工工艺，按照以下步骤进行：

1）首先将纳米性功能涤纶纤维纺织成纳米半导电无纺布，所述纳米半导电无纺布的克重在50-100g/m²；

2）在聚酯薄膜上表面涂设防粘半导电硅胶；

3）然后将纳米半导电无纺布通过半导电硅胶粘结剂与聚酯薄膜用复合机复合，分切而成。

所述纳米性功能涤纶纤维粗细为1.5-2.5dtex，所述纳米半导电无纺布克重在50-100g/m²。

所述聚酯薄膜厚度为0.025-0.05mm。

所述2）步骤中防粘半导电硅胶凃量在4-6g/m²。

所述3）步骤中，所述半导电硅胶粘结剂凃量在8-10g/m²。

所述防粘半导电硅胶的成分比为：硅胶30-35%、乙脂40-55%、导电纳米中空碳管10-15%；

所述半导电硅胶粘结剂成分比为：硅胶30-50%、乙脂50-65%。

本实用新型的优点是：经检测本实用新型具有表面耐高温（局部表面瞬时耐温300℃，达10s以上），导电性能优，拉张强度大、防水、防渗透、抗酸碱、抗辐射与橡胶PE、PVC类产品接触不起反应，是生产高压矿用电缆，大截面中压电缆（10KV以上）的理想产品。

使用此产品能优化和提高高压电缆内部半导电材料性能：具有半导电、防水、防渗透、防粘结等特性，也降低了生产成本，便于日后电缆回收与分类（因内部无粘结）产品符合欧盟环保要求。

实用新型内容

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型的生产工艺流程图。

具体实施方式

实施例一：

本实用新型按照以下步骤进行：

1）首先将纳米性功能涤纶纤维纺织成纳米半导电无纺布，所述纳米半导电无纺布的克重在；

2）在聚酯薄膜上表面涂设防粘半导电硅胶；

3）然后将纳米半导电无纺布通过半导电硅胶粘结剂与聚酯薄膜用复合机复合，分切而成。

所述纳米性功能涤纶纤维粗细为2dtex，所述纳米半导电无纺布克重在80g/m²。

所述聚酯薄膜厚度为0.04mm。

所述2）步骤中防粘半导电硅胶凃量在5g/m²。

所述3）步骤中，所述半导电硅胶粘结剂凃量在8g/m²。

所述防粘半导电硅胶的成分比为：硅胶30%、乙脂55%、导电纳米中空碳管15%；

所述半导电硅胶粘结剂成分比为：硅胶50%、乙脂50%。

实施例二：

本实用新型按照以下步骤进行：

1）首先将纳米性功能涤纶纤维纺织成纳米半导电无纺布，所述纳米半导电无纺布的克重在；

2）在聚酯薄膜上表面涂设防粘半导电硅胶；

3）然后将纳米半导电无纺布通过半导电硅胶粘结剂与聚酯薄膜用复合机复合，分切而成。

所述纳米性功能涤纶纤维粗细为1.5dtex，所述纳米半导电无纺布克重在50g/m²。

所述聚酯薄膜厚度为0.025mm。

所述2）步骤中防粘半导电硅胶凃量在4g/m²。

所述3）步骤中，所述半导电硅胶粘结剂凃量在10g/m²。