[实用新型]一种盐碱地改良用种植装置有效
申请号: | 201520546554.1 | 申请日: | 2015-07-24 |
公开(公告)号: | CN204888134U | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 宣丽丽 | 申请(专利权)人: | 天津市泰洲盐碱地绿化工程有限公司 |
主分类号: | A01G9/02 | 分类号: | A01G9/02;A01B77/00 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 王彩君 |
地址: | 300381 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 盐碱地 改良 种植 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及土壤改良技术领域,尤其涉及一种盐碱地改良用种植装置。
背景技术
盐碱地是盐类集积的一个种类,是指土壤里面所含的盐分影响到作物的正常生长,根据联合国教科文组织和粮农组织不完全统计,全世界盐碱地的面积为9.5438亿公顷,其中我国为9913万公顷。我国碱土和碱化土壤的形成,大部分与土壤中碳酸盐的累计有关,因而碱化度普遍较高,严重的盐碱土壤地区植物几乎不能生存。
现有的盐碱改良方法通过大量注水或者使用大量客土回填的方式,这种方法一方面工程量较大,成本较高,另一方面在地下富集的盐碱成分容易逐渐回返到表面,对表面种植的植物造成影响。因此,需要一种适合盐碱地改良的种植装置,辅助改良盐碱地上种植的植物生长。
发明内容
本实用新型要解决的问题是现有的盐碱改良方法不适宜后期植物的声场,不适宜长时期解决盐碱化问题。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:提供一种盐碱地改良用种植装置。所述盐碱地改良用种植装置,包括用于种植植物的上部开口的种植壳体,在所述种植壳体内自上而下设置的种植层、营养基质层和隔离层。所述种植壳体的下部设有若干排水管,所述排水管与隔离层相连通。
进一步地,所述营养基质层与隔离层之间设有中和盐碱所用的中和层,所述营养基质层与中和层之间设有一层防止杂质下渗的并允许水渗透的上隔膜。
进一步地,所述隔离层包括细砂层和粗砂层,所述粗砂层设置在细砂层的下方,所述排水管与粗砂层的下部联通。
优选地,所述中和层与细砂层之间设有一层防止杂质下渗的并允许水渗透的下隔膜,所述下隔膜的目数大于上隔膜的目数。
优选地,所述排水管可拆卸链接有连接管,所述连接管的另一端与排盐井或市政系统相连通,所述连接管上设有若干与其他连接管相连通的支管。
进一步地,所述连接管与粗砂层相连通的一端设有单向阀,所述单向阀允许液体自粗砂层流向连接管。
进一步地,所述种植壳体包括上部开口的下壳体和与下壳体可拆卸的上壳体;种植土层和营养基质层设置在上壳体中,隔离层设置在下壳体中。所述插板的内侧面上设有外螺纹,内层贴合插板的侧面上设有与外螺纹所述的内螺纹。
优选地,所述外层的下端设有向下延伸的凸起,所述下壳体的上端面上设有与所述凸起相配合的凹槽。
优选地,所述内层的下端设有朝向种植壳体内部的折弯,所述折弯贴合在下壳体的上端面上。
进一步地,所述盐碱地改良用种植装置还包括沿种植壳体的长度方向依此设立若干将种植壳体分割成若干小区域的隔板。所述种植壳体的侧壁上开有与隔板相配合的插槽,所述隔板插合在所述插槽中。
本实用新型具有的优点和积极效果是:本实用新型结构简单,设置方便,可与改良中的盐碱地配合使用,为初步改良后得到盐碱地上种植的植物提供较好地环境,适于植物的生长。本实用新型中种植壳体内依次设有种植土层、营养基质层和隔离层,营养基质层为植物的生长提供营养,隔离层为方便盐碱水的下流,并将其与植物的生长区域隔离开,利于植物生长。本实用新型中还设有中和层,与上返的盐碱相中和,进一步利于植物的生长,长久改善盐碱地。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图
图2是图1的A-A示意图。
图3是图2的局部放大示意图。
图4是本实用新型的俯视示意图。
图中:1-种植壳体,2-上壳体,201-插槽,202-外层,203-内层,204-空隙,205-凸起,206-折弯,3-下壳体,301-防渗层,302-插板,4-隔板,5-排水管,501-单向阀,6-连接管,601-支管,7-种植土层,8-营养基质层,9-上隔膜,10-中和层,11-下隔膜-12-细砂层,13-粗砂层。
具体实施方式
为了更好的理解本实用新型,下面结合具体实施例和附图对本实用新型进行进一步的描述。
如图1-图4所示,一种盐碱地改良用种植装置,包括用于种植植物的上部开口的种植壳体1,设置在种植壳体1上的隔板4和设置在种植壳体1下部的排水管5。在种植壳体1内自上而下设置的种植层7、营养基质层8、中和层10和隔离层。
隔板4沿种植壳体1的长度方向依此设立,将种植壳体1分割成若干小区域,方便植物的种植。种植壳体1的侧壁上开有与隔板4相配合的插槽201,隔板4插合在插槽201中。
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