[实用新型]成对电极共面放电等离子体发生装置有效

专利信息
申请号: 201520522289.3 申请日: 2015-07-17
公开(公告)号: CN204810665U 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 李建;王坤;王世庆;常兰 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院;成都理工大学工程技术学院
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 刘昕宇
地址: 610041 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 成对 电极 放电 等离子体 发生 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及等离子体产生和低温等离子体技术领域,具体涉及一种成对电极共面放电等离子体发生装置。

背景技术

低温等离子体在材料表面改性、薄膜沉积、光源,以及等离子体刻蚀等方面有很多应用。介质阻挡放电是一种在放电电极间加入介质层的一种放电形式。由于介质的存在,使放电更加稳定,并避免了电流过大而形成电弧的危险。介质阻挡放电是大气压放电的重要方法。

介质阻挡放电按放电结构区分可以分为:体放电,沿面放电和共面放电三种。其中共面放电具有较大优势,由于共面放电中电极置于同侧并埋藏于介质之中,等离子体产生于介质表面并具有一定厚度。这种结构可以对厚度较大的器件表面进行材料表面改性、薄膜沉积,也可以用于等离子体光源等。

通常设计的共面放电装置中,埋藏于介质层中的电极为“单个电极”排列,相邻电极分别接到高压电源的高压端和接地端。在整个共面介质阻挡放电装置中,接电源高电压端和接地端的电极相互间隔。由于电极加工精度的误差,在这种装置的气体放电产生等离子体过程中,放电总是首先在电场强度最大的区域首先产生并扩展,这就造成等离子体可能只产生于“单个电极”的一侧,而不是在整个任意两个“单个电极”之间区域产生。这样的共面介质阻挡放电装置产生的等离子体具有明显的不均匀性。

实用新型内容

本实用新型的目的为提供一种成对电极共面放电等离子体发生装置,能够在共面放电装置中产生均匀的等离子体。

为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:

一种成对电极共面放电等离子体发生装置,它包括介质和若干对成对电极;成对电极为两个间距较近、正负极性相同的电极;相邻的成对电极之间的正负极性相反。

它还包括两个2个单个电极;所述的介质为板状介质;板状介质内从一边到另一边依次设有一个单个电极A、若干对成对电极、一个单个电极B;

当所述的成对电极的对数为偶数时,单个电极A与第偶数对成对电极接高压电;单个电极B与第奇数对成对电极接地;

当所述的成对电极的对数为奇数时,单个电极A、单个电极B与第偶数对成对电极接高压电;第奇数对成对电极接地。

所述的板状介质为陶瓷或石英材料;所述的电极的材料为石墨、金属或合金。

所述的电极的材料为Al,板状介质材料为Al2O3;单个电极的宽度为1mm;组成成对电极的两个电极之间的距离为3mm;单个电极与成对电极之间的距离、相邻两对成对电极之间的距离为1~10mm。

所述的介质为圆柱状介质;圆柱状介质外表面均匀设有若干对成对电极。

本实用新型的有益效果为:

本实用新型提供的一种成对电极共面放电等离子体发生装置通过设计间距较近、正负间隔的成对电极形成间隔电极效应,保证了等离子体放电的稳定,有利于介质表面形成均匀放电的等离子体层。

附图说明

图1为本实用新型提供的成对电极共面放电等离子体发生装置示意图;

图2为成对电极的侧视图。

图中:1.板状介质,2.单个电极A,3.单个电极B,4.成对电极A,5.成对电极B,6.正极导线,7.负极导线,8.圆柱状介质。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型的技术方案和有益效果进一步进行说明。

本实用新型的成对电极共面放电等离子体发生装置包括介质和若干对成对电极;成对电极为两个间距较近、正负极性相同的电极;相邻的成对电极之间的正负极性相反。

如图1所示,本实施例中的成对电极共面放电等离子体发生装置包括板状介质1、若干个单个电极、若干对成对电极。板状介质1为陶瓷或石英材料。板状介质1内设有若干根电极,包括单个电极和成对电极。成对电极为间隔较近的两个单个电极。电极的材料为石墨、金属或合金。在本实施例中,板状介质1内从一边到另一边依次设有一个单个电极A2、9对成对电极、一个单个电极B3。单个电极A2、单个电极B3和成对电极中的第2、4、6、8对分别与正极导线6连接,接高压电。成对电极中的第1、3、5、7、9对分别与负极导线7连接,接地。

在现有技术中,所有电极都是单个电极,放电总是首先在电场强度最大的区域首先产生并扩展,这就造成等离子体可能只产生于单个电极的一侧,而不是在整个任意两个单个电极之间区域产生,这样的共面介质阻挡放电装置产生的等离子体具有明显的不均匀性。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于核工业西南物理研究院;成都理工大学工程技术学院,未经核工业西南物理研究院;成都理工大学工程技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520522289.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top