[实用新型]一种钝化发射区背面局部扩散的晶硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201520522150.9 | 申请日： | 2015-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN204792817U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 秦崇德;方结彬;石强;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人： | 张伶俐 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 发射 背面 局部 扩散 太阳能电池 | ||
1.一种钝化发射区背面局部扩散的晶硅太阳能电池，其特征在于：包括背面Al电极、氧化硅(SiO2)钝化层、P型硅、N层、氧化硅(SiO2)减反射钝化层和栅指电极，所述背面Al电极、氧化硅(SiO2)钝化层、P型硅、N层、氧化硅(SiO2)减反射钝化层和栅指电极依次相连，所述氧化硅(SiO2)减反射钝化层设有第一通孔，栅指电极下端伸入第一通孔内与N层相接触，栅指电极下端与N层之间还设有N+层，栅指电极与N+层形成倒金字塔结构，N+层形状大小与栅指电极下端相同；P型硅内设定域、小面积硼扩散P+层，氧化硅(SiO2)钝化层设有第二通孔，背面Al电极上端伸入第二通孔内与P+层相接触。
2.根据权利要求1所述的一种钝化发射区背面局部扩散的晶硅太阳能电池，其特征在于：所述P+层嵌入P型硅的下表面。
3.根据权利要求1所述的一种钝化发射区背面局部扩散的晶硅太阳能电池，其特征在于：所述栅指电极为蒸镀栅指电极。
4.根据权利要求1所述的一种钝化发射区背面局部扩散的晶硅太阳能电池，其特征在于：所述背面Al电极为蒸镀铝电极。
5.根据权利要求1所述的一种钝化发射区背面局部扩散的晶硅太阳能电池，其特征在于：所述第一通孔通过光刻方式加工而成。
6.根据权利要求1所述的一种钝化发射区背面局部扩散的晶硅太阳能电池，其特征在于：所述第二通孔通过光刻方式加工而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
