[实用新型]一种改进背光监测性能的TO封装半导体激光器

权利要求书

1.一种改进背光监测性能的TO封装半导体激光器，其特征在于，包括：TO管座（1）、半导体激光器芯片（2）、背光探测器芯片（3）、热沉块（8）和若干引脚（7），所述热沉块（8）设置于所述TO管座（1）的上表面，所述半导体激光器芯片（2）固定设置于所述热沉块（8）的表面，所述引脚（7）绝缘固定于所述TO管座（1）上，且引脚的上端突出于所述TO管座（1）的上表面设置，在其中一个引脚的突出于TO管座（1）上表面的上部形成有支撑台（9），且所述支撑台相对于TO管座（1）的上表面倾斜设置，所述背光探测器芯片（3）设置于所述支撑台上，并处于所述半导体激光器芯片（2）的下方。

2.根据权利要求1所述的TO封装半导体激光器，其特征在于，在与背光探测器芯片的电极电性连接且靠近背光探测器芯片垂向投影位置的一个引脚上形成有所述支撑台（9），且所述支撑台（9）自所述引脚的突出于TO管座（1）上表面的上部一体延伸至半导体激光器芯片（2）的下方。

3.根据权利要求1所述的TO封装半导体激光器，其特征在于，所述支撑台的上表面垂直于所述热沉块（10）设置半导体激光器芯片（2）的表面，且所述支撑台的上表面相对于TO管座（1）上表面的倾斜角度处于正负25度的范围内。

4.根据权利要求1所述的TO封装半导体激光器，其特征在于，所述热沉块（8）一体形成于所述TO管座（1）的上表面，所述热沉块（8）整体具有梯台结构，包括外沿表面、内壁表面和连接外沿表面与内壁表面的侧表面，所述内壁表面垂直于所述TO管座（1）的上表面。

5.根据权利要求4所述的TO封装半导体激光器，其特征在于，所述支撑台的上表面垂直于所述热沉块（10）的内壁表面，且所述支撑台的上表面相对于TO管座（1）上表面的倾斜角度处于正负12度的范围内。

6.根据权利要求4所述的TO封装半导体激光器，其特征在于，还包括有激光芯片垫块（4），所述激光芯片垫块（4）固定设置于所述热沉块（8）的内壁表面上，所述半导体激光器芯片（2）固定设置于所述激光芯片垫块（4）的表面上，所述支撑台的上表面垂直于所述激光芯片垫块（4）的表面，且所述支撑台的上表面相对于TO管座（1）上表面的倾斜角度处于正负12度的范围内。

7.根据权利要求6所述的TO封装半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器芯片（2）为LD芯片，所述背光探测器芯片（3）为PD芯片，所述LD芯片共晶焊接于所述激光芯片垫块（4）的表面上，所述PD芯片通过导电银胶固定于所述支撑台（9）上，所述LD芯片的两个电极通过键合金丝（6）电性连接于其中两个引脚上，所述PD芯片的一个电极通过支撑台（9）电性连接于一个引脚，所述PD芯片的另一个电极通过键合金丝（6）电性连接于另一个引脚上。

8.根据权利要求1所述的TO封装半导体激光器，其特征在于，所述TO管座（1）具有圆形结构，所述半导体激光器芯片（2）处于TO管座（1）的圆心轴线上，所述背光探测器芯片（3）处于所述半导体激光器芯片（2）的正下方。

9.根据权利要求1所述的TO封装半导体激光器，其特征在于，所述TO管座（1）上设置有圆形通孔，所述引脚穿过所述圆形通孔后通过玻璃固定层（10）绝缘固定于所述圆形通孔内。

10.根据权利要求1-9任一项所述的TO封装半导体激光器，其特征在于，所述支撑台（9）具有长方体结构，宽度在0.4mm到0.9mm，长度在1.0mm-1.6mm，厚度在0.2mm-0.6mm。