[实用新型]一种水双极膜酸碱离解设备的自动控制系统有效

专利信息
申请号: 201520520339.4 申请日: 2015-07-17
公开(公告)号: CN204897500U 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 苗鵾鹏;王娜娜 申请(专利权)人: 厦门市科宁沃特水处理科技股份有限公司
主分类号: C02F1/469 分类号: C02F1/469
代理公司: 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人: 巫丽青
地址: 361000 福建省厦门市湖里区*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 水双极膜 酸碱 离解 设备 自动控制系统
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及水处理技术领域,具体涉及一种水双极膜酸碱离解设备的自动控制系统。

背景技术

双极膜是一种一面是阳离子交换层而相反的一面是阴离子交换层如此构造起来的层状膜。双极膜电渗析技术在污染控制、能源回收和化学加工等领域已有一些应用。而利用双极膜电渗析技术裂解水,能够将盐转变为酸和碱,产品酸碱均为弱酸弱碱。通过改变水双极膜酸碱离解设备两端的电压,来改变产品酸碱的浓度。同时进水的流量、电导率、pH值也会影响产品酸碱的浓度。传统的控制系统,水双极膜酸碱离解设备两端电压固定,在进水流量、电导率、pH值变化的时候,产品酸碱浓度无法稳定。同时当水双极膜酸碱离解设备工作一段时间后,离子交换膜表面不可避免的有些污染,产品酸碱浓度也会有变化。因此,传统控制系统很难控制得到稳定浓度的酸碱。

实用新型内容

为了解决上述技术问题,本实用新型所提供了一种水双极膜酸碱离解设备的自动控制系统,解决传统控制系统无法得到稳定浓度的酸碱的问题。

为了达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案是,一种水双极膜酸碱离解设备的自动控制系统,包括:

电磁阀,其与水双极膜酸碱离解设备通过水管连接,用于控制进出水双极膜酸碱离解设备的水流,

单片机,其设置在水双极膜酸碱离解设备上,

温度传感器,其设置于水双极膜酸碱离解设备上,并与单片机电性连接,

碱室出水流量传感器、酸室出水流量传感器和极室出水流量传感器,均设置于水双极膜酸碱离解设备的碱室、酸室和极室,并分别与单片机电性连接,用于采集流量信号发送至单片机,

MOS管电路,其连接于水双极膜酸碱离解设备的极室两级,并与单片机电性连接,用于接收单片机的控制信号,并启闭水双极膜酸碱离解设备。

进一步的,还包括薄膜按键开关,所述薄膜按键开关与单片机电性连接。

进一步的,还包括温度传感器,其设置于水双极膜酸碱离解设备,并与单片机电性连接。

进一步的,还包括开关电源,其分别与总电源开关和单片机电性连接。

更进一步的,还包括漏电保护插头,其用于保护水双极膜酸碱离解设备。

本实用新型通过采用上述技术方案,与现有技术相比,具有如下优点:本实用新型的有益效果为:本发明通过单片机及其设计的电路控制水流分流,对水双极膜酸碱离解设备各流室进行分别的酸碱平衡控制,通过闭环控制,PID算法可以解决进水水质不同导致加相同电压无法得到相同pH值出水的问题,解决电渗析器不断老化需要不断增加电压的控制问题。同时通过显示屏,可以直观地得出出水的水质,也可通过薄膜按键输入指定的任意pH值的出水。

附图说明

图1是本实用新型的实施例的结构示意图。

具体实施方式

现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

作为一个具体的实施例,如图1所示,本实用新型的一种水双极膜酸碱离解设备的自动控制系统,包括:

电磁阀11,其与水双极膜酸碱离解设备通过水管连接,用于控制进出水双极膜酸碱离解设备的水流,采用净水器通用常闭电磁阀,所需电压为24V,其作用在于接收单片机指令控制水流通断。

单片机1,其设置在水双极膜酸碱离解设备上,本系统控制器单片机1采用PIC单片机的P18系列,具有低功耗、多路ADC接口、多个外部中断、CCP接口和EEPROM。其中ADC接口用来实现pH测量、温度的测量和AD键盘,多个外部中断可以满足3个流量传感器对流量的测量,CCP功能用来控制MOS管的快速通断。

温度传感器,其设置于水双极膜酸碱离解设备上,并与单片机电性连接,

碱室出水流量传感器6、酸室出水流量传感器7和极室出水流量传感器8,均设置于水双极膜酸碱离解设备的碱室、酸室和极室,并分别与单片机电性连接,用于采集流量信号发送至单片机,碱室出水流量传感器6、酸室出水流量传感器7和极室出水流量传感器8采用但不限于脉冲型流量传感器。通过单片机的中断接口,对流量传感器单位时间发出脉冲进行测量,计算出出水流量。

MOS管电路10,其连接于水双极膜酸碱离解设备的极室两级,并与单片机电性连接,用于接收单片机的控制信号,并启闭水双极膜酸碱离解设备。NMOS管的D极接在开关电源3的24V电压输出,S极接地,G极接单片机的CCP口。通过改变单片机1输出PWM的占空比来控制NMOS管的通断时间,这样就可以得到有效值在0~24V内的任意电压。

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