[实用新型]一种光伏发电用二极管有效
| 申请号: | 201520519026.7 | 申请日: | 2015-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN204857746U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
| 发明(设计)人: | 李兵;朱新华 | 申请(专利权)人: | 高密星合电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/044 | 分类号: | H01L31/044;H01L31/052 |
| 代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 郑自群 |
| 地址: | 261599 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 发电 二极管 | ||
技术领域
本实用新型属于二极管技术领域,特别涉及一种光伏发电用二极管。
背景技术
目前,电子元件通常对工作环境具有一定的要求,在某些比较极端的环境条件中时,电子元件尤其是二极管的工作性能极易受到环境的影响,譬如在光伏发电板的环境中时,太阳能接线盒中二极管的工作环境要求保证处于—40℃—+80℃区间内,超出该温度范围时,二极管的工作情况常常会出现故障,但现有二极管功耗较大、发热多、反偏恢复时间长、导通慢,此外在光伏发电板中,接线盒所处的空间狭小,而且要求防水封闭,本身的散热较为困难,极易导致二极管工作环境温度超标,对二极管防止高温反偏的稳定性提出了更高的要求。
因此,现在亟需一种光伏发电用二极管,降低其自身功耗、发热少、反偏恢复时间短、导通快,并且能够尽可能的保证光伏发电用二极管的散热效果,防止光伏发电用二极管发生高温反偏的情况,从而保证光伏发电用二极管的稳定工作。
实用新型内容
本实用新型提出一种光伏发电用二极管,解决了现有技术中二极管耗较大、发热多、反偏恢复时间长、导通慢的问题。
本实用新型的技术方案是这样实现的:包括负极和正极,正极和负极均为板状,负极和正极之间通过半导体晶片连接,负极与正极设置在不同平面内,所述负极及所述正极上分别设有散热片,所述负极及所述正极上设有散热片安装孔,散热片通过散热片安装孔安装于负极和正极上,光伏发电用二极管的负极与二极管的正极分别所形成的平面相互平行,且两个平面之间的距离为2.6±0.1mm。
作为一种优选的实施方式,光伏发电用二极管半导体晶片的厚度为4±0.1mm。
作为一种优选的实施方式,光伏发电用二极管的半导体晶片为长方形,半导体晶片的长度为10.16±0.1mm,半导体晶片的宽度为8.6±0.1mm。
作为一种优选的实施方式,光伏发电用二极管的正极长度为5.01±0.1mm,二极管的正极宽度为14.7±0.1mm。
作为一种优选的实施方式,光伏发电用二极管的负极与二极管的正极分别所形成的平面相互平行,且平面之间的距离为2.6±0.1mm。
作为一种优选的实施方式,光伏发电用二极管的工作电流为10A、12A、15A以及25A中的任意一种。
作为一种优选的实施方式,光伏发电用二极管的工作电压为30V、35V、40V、45V、50V、60V、80V以及100V中的任意一种。
作为一种优选的实施方式,光伏发电用二极管的负极长度为10.16±0.1mm,二极管的负极宽度6.3±0.1mm。
采用了上述技术方案后,本实用新型的有益效果是:本实用新型采用板式引线结构,负极、正极与半导体晶片之间的接触面积大,减小了光伏发电用二极管本身的正向压降,从而降低其自身功耗、发热少、反偏恢复时间短、导通快,此外由于二极管的正极和负极设置在不同的平面上,并且配合通过散热安片装孔安装在负极以及正极上的散热片,能够尽可能的保证光伏发电用二极管的散热效果,防止光伏发电用二极管发生高温反偏的情况,从而保证光伏发电用二极管的稳定工作,另外通过合理的设置光伏发电用二极管的正极、负极以及半导体晶片的尺寸规格,能够更好的符合太阳能发电板的要求。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型光伏发电用二极管具体实施方式的平面示意图;
图2为本实用新型光伏发电用二极管具体实施方式的侧视示意图;
图3为本实用新型光伏发电用二极管具体实施方式封装的正面示意图;
图4为本实用新型光伏发电用二极管具体实施方式封装的侧面示意图。
图中,1-正极;2-负极;3-半导体晶片;4-散热片安装孔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





