[实用新型]宽带低噪声放大器有效
| 申请号： | 201520512212.8 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN204697010U | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 岑明灿;宋树祥;蔡超波 | 申请（专利权）人： | 广西师范大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/42 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽带 低噪声放大器 | ||
1.一种宽带低噪声放大器，其特征在于：由共源结构MOS管M1、共栅结构MOS管M2、输入匹配电容C1、接地电容C2、输出匹配电容C3、第一电感L1、第二电感L2、第一电阻R1、第二电阻R2以及第三电阻R3组成；
共源结构MOS管M1的漏极与共栅结构MOS管M2的漏极相连；
共源结构MOS管M1的栅极与第一电阻R1和第一电感L1的一端连接；第一电感L1的另一端与射频信号输入端口Vin和输入匹配电容C1的一端连接；输入匹配电容C1的另一端连接到地；第一电阻R1的另一端连接第一偏置电压Vb1；
共栅结构MOS管M2的栅极同时与第二电阻R2和接地电容C2的一端相连；接地电容C2的另一端接地；第二电阻R2的另一端连接第二偏置电压Vb2；
共源结构MOS管M1的源极接地；
共栅结构MOS管M2的漏极与输出匹配电容C3和第二电感L2的一端相连；第二电感L2的另一端与第三电阻R3一端相连；第三电阻R3的另一端与外部电源连接；输出匹配电容C3的另一端连接到信号输出端口Vout。
2.根据权利要求1所述的一种宽带低噪声放大器，其特征在于：共源结构MOS管M1和共栅结构MOS管M2均为NMOS管。
3.根据权利要求1或2所述的一种宽带低噪声放大器，其特征在于：输入匹配电容C1的电容值的取值范围为0.1pF～0.7pF。
4.根据权利要求3所述的一种宽带低噪声放大器，其特征在于：输入匹配电容C1的电容值为0.36pF。
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