[实用新型]聚光光伏太阳能玻璃底板组件有效
申请号: | 201520511221.5 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN204792847U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 郭丽彬;黄超;罗芳 | 申请(专利权)人: | 日芯光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/054;H01L31/052 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
地址: | 232000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚光 太阳能 玻璃 底板 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能领域,特别是涉及一种聚光光伏太阳能玻璃底板组件。
背景技术
目前,太阳能高倍聚光光伏组件受成本、运输及安装要求影响,愈来愈倾向于使用更薄、更轻、成本更低的聚光光伏组件替代的太阳能聚光光伏组件。最近国内外的高倍聚光光伏组件的研发中,较多采用了基于孔径与焦距都较小的透镜的薄模组,且薄模组不再使用常规的扇形铝散热器而是直接使用玻璃作为底板散热材料,以满足其可靠性等方面要求。现在为数不多薄模组设计中,玻璃底板组件(PA)基本沿用二次光学系统(光学棱镜或者无)、电池芯片、粘结物、散热铝件、粘结物、玻璃等结构。此种方案存在结构复杂、装配工艺流程差、成本偏高等缺点。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种可靠性好、连接强度高、成本较低的聚光光伏太阳能玻璃底板组件。
为实现上述目的,本实用新型的技术解决方案是:
本实用新型是一种聚光光伏太阳能玻璃底板组件,包括玻璃电路底板、锡膏、散热铜支架、GaAs电池和光学元部件;所述的光学元部件固定于GaAs电池的上表面,GaAs电池的下表面固定在散热铜支架的上表面,散热铜支架的下表面固定在玻璃电路底板上。
所述的光学元件为玻璃球或者棱柱体。
所述的光学元件通过光学胶粘结至GaAs电池,其周边使用围坝胶固定。
所述的太阳能电池与散热铜支架通过锡膏焊接固定。
所述的散热铜支架由正极部分、负极部分及粘接层组成,散热铜支架上表面印刷有固定GaAs电池的阻焊层。
所述的散热铜支架与玻璃电路底板通过锡膏焊接固定。
所述的玻璃电路底板由底板玻璃及电路铜层组成,电路铜层覆盖在底板玻璃表面。
采用上述方案后,由于本实用新型采用玻璃底板表面直接封电路铜层,通过锡膏焊接将散热铜支架与GaAs电池直接焊接成型,取消了传统的铝基板、PCB等电路板,提高了可靠性和连接强度,降低了成本、简化了工艺流程。
具体优点如下:
1.玻璃电路底板:玻璃底板上印刷有电路铜层:
优点:
a.可靠性好、安全性能高:玻璃本身为电绝缘材料,玻璃表面镀铜形成电路,较目前的光伏组件由太多的导线焊接、压接方式形成的电路,存在可靠性好、安全性能高,不存在因导线焊接/压接质量脱落导致断路现象;
b.简化工艺步骤,省去大量正负极长导线间的连接工艺,同时一定程度降低成本;
c.连接强度好,镀铜层通过锡膏焊接至铜支架上,远强于使用UV胶或者其它耐候、导热胶;
2.散热铜支架:通过锡膏焊接连接芯片及玻璃电路底板:
优点:
a.热阻低:散热铜支架上下面均采用锡膏焊接方式连接,由于锡膏的热导率远大于普通导热胶或者UV胶,且铜本身热导率非常高,相对于一般的PCB、铝基板方式散热能力更好;
b.可以实现低空洞率的焊接;
c.功率损失少,发电效率高;
d.连接强度高,可靠性更好;
3.铜支架上印刷阻焊层:
优点:可以确保芯片位置的精确性;
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。
附图说明
图1是本实用新型的主视图;
图2是本实用新型的侧视图;
图3是图2在I处的局部放大图;
图4是本实用新型去掉玻璃电路底板的立体分解图;
图5是本实用新型去掉玻璃电路底板的俯视图;
图6是本实用新型去掉玻璃电路底板的侧视图;
图7是图6沿A-A线的剖视图。
具体实施方式
如图1-图7所示,本实用新型是一种聚光光伏太阳能玻璃底板组件,包括玻璃电路底板1、锡膏2、散热铜支架3、GaAs电池4和光学元部件5。
所述的玻璃电路底板1由底板玻璃及电路铜层组成,电路铜层覆盖在底板玻璃表面。
所述的光学元件为玻璃球或者棱柱体,光学元部件5通过光学胶固定粘结于GaAs电池4的上表面,在光学元件5周边使用围坝胶6固定。GaAs电池4的下表面通过锡膏2焊接固定在散热铜支架3的上表面且GaAs电池4上的金线41连接在散热铜支架3上,散热铜支架3的下表面通过锡膏焊接固定在玻璃电路底板1上。
所述的散热铜支架3由正极部分、负极部分及粘接层组成,散热铜支架3上表面印刷有固定GaAs电池4的阻焊层31。
以上所述,仅为本实用新型较佳实施例而已,故不能以此限定本实用新型实施的范围,即依本实用新型申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰,皆应仍属本实用新型专利涵盖的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的