[实用新型]薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201520502813.0 | 申请日: | 2015-07-13 |
公开(公告)号: | CN204905264U | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 彭寿;王芸;崔介东;石丽芬;曹欣 | 申请(专利权)人: | 中国建材国际工程集团有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0445 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 王法男 |
地址: | 200061 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及薄膜太阳能电池领域,尤其涉及一种透明导电膜为金属纳米线的薄膜太阳能电池。
背景技术
薄膜太阳能电池透明导电层为半导体材料,如ITO、FTO、AZO等,其在实现太阳能电池透光性要求的前提下,却不能避免其自身材料因素导致的电阻存在,使得太阳能电池器件作为横向光电收集器件而载流子收集效率不高,成为影响其光电转换效率的瓶颈。而金属的导电性能远远优于半导体,同时如果把金属做成纳米线结构布置于玻璃基底之上,作为透光与导电的太阳能窗口层,则可以实现比传统的半导体透明导电膜优越的性能,提高太阳能电池的光电转换效率。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种测试硅基薄膜的缺陷态密度,进而为硅基薄太阳能电池的材料特性改善提供解决方案。
为了达成上述目的,提供了一种薄膜太阳能电池,自下而上依次包括有玻璃基底、透明导电层、光电吸收层、背电极层,其特征在于,所述透明导电层为材料为金属纳米线,所述光电吸收层为非晶硅,微晶硅或碲化镉薄膜。
一些实施例中,所述金属纳米线包括银钠米线,铜纳米线。
一些实施例中,所述金属纳米线层,其粒径范围为50~80nm,总厚度为300~600μm。
一些实施例中,所述金属纳米线层在所述玻璃基底进行工艺的控制与生长。
一些实施例中,所述金属纳米线中,线与线之间的间距为2~10mm。
根据本实用新型的测薄膜太阳能电池,以金属纳米线替代半导体透明导电膜,如AZO、ITO、FTO等,可以实现在透光的前提下,大大减小膜层的电阻,更加有利于光生载流子的横向收集,并减小电池器件的电阻,提高太阳能电池的光电转换效率。
以下结合附图,通过示例说明本实用新型主旨的描述,以清楚本实用新型的其他方面和优点。
附图说明
结合附图,通过下文的详细说明,可更清楚地理解本实用新型的上述及其他特征和优点,其中:
图1为根据本实用新型实施例的薄膜太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
参见本实用新型具体实施例的附图,下文将更详细地描述本实用新型。然而,本实用新型可以以许多不同形式实现,并且不应解释为受在此提出之实施例的限制。相反,提出这些实施例是为了达成充分及完整公开,并且使本技术领域的技术人员完全了解本实用新型的范围。
现参考附图详细说明根据本实用新型实施例的薄膜太阳能电池。
根据本实用新型的薄膜太阳能电池,自下而上依次包括有玻璃基底、透明导电层、光电吸收层、背电极层,其特征在于,所述透明导电层为材料为金属纳米线,所述光电吸收层为非晶硅,微晶硅或碲化镉薄膜。
所述金属纳米线包括银钠米线,铜纳米线。所述金属纳米线层,其粒径范围为50~80nm,总厚度为300~600μm。所述金属纳米线层在所述玻璃基底进行工艺的控制与生长。所述金属纳米线中,线与线之间的间距为2~10mm。
如图1所示,本实用新型所提供的薄膜太阳能电池,以玻璃作为基板1,基板1的表面上依次为金属纳米线2、光电吸收层3、背电极层4。
金属纳米线2为银钠米线,钠米银膜层厚度为500μm,纳米线之间的宽度为5mm;其中背电极层4AZO膜与铝膜的复合结构。
根据本实用新型的测薄膜太阳能电池,以金属纳米线替代半导体透明导电膜,如AZO、ITO、FTO等,可以实现在透光的前提下,大大减小膜层的电阻,更加有利于光生载流子的横向收集,并减小电池器件的电阻,提高太阳能电池的光电转换效率。
以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例。应当理解,本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思做出诸多修改和变化。凡本技术领域中技术人员依本实用新型的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案,皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的