[实用新型]一种增加GaN基反向电压的外延结构有效
| 申请号： | 201520498810.4 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN204760415U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 项博媛;徐迪;农明涛;杨云峰 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 长沙七合源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 欧颖;吴婷 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增加 gan 反向 电压 外延 结构 | ||
1.一种增加GaN基反向电压的外延结构，其特征在于：由下至上依次包括蓝宝石衬底(1)、低温缓冲层(2)、第一非掺杂u型GaN层(3)、第二非掺杂u型GaN层(4)、u型AlGaN/GaN超晶格过渡层(5)、第一高掺杂Si的n型GaN层(6)、n型AlGaN电子阻挡层(7)、第二高掺杂Si的n型GaN层(8)、低温n型GaN层(9)、浅量子阱层(10)、量子阱层(11)、有源层(12)、GaN垒层(13)、第一P型AlGaN/InGaN电子阻挡层(14)、第二P型AlGaN/InGaN电子阻挡层(15)、p型GaN层(16)以及p型接触层(17)；
所述u型AlGaN/GaN超晶格过渡层(5)的厚度为30-100nm，其包含生长周期为4-20个的AlGaN/GaN超晶格，所述超晶格中AlGaN与GaN的厚度比为1:1-1:3；
所述第一高掺杂Si的n型GaN层(6)的厚度为2.5-3.5um。
2.根据权利要求1所述的增加GaN基反向电压的外延结构，其特征在于：所述第二高掺杂Si的n型GaN层(8)的厚度为150-300nm；所述浅量子阱层(10)的厚度为100-300nm。
3.根据权利要求2所述的增加GaN基反向电压的外延结构，其特征在于：所述量子阱层(11)的厚度为30-60nm，其包括生长周期为3-8个的单层。
4.根据权利要求3所述的增加GaN基反向电压的外延结构，其特征在于：所述有源层(12)的厚度为100-150nm，其包括生长周期为7-11个的有源单层，所述有源单层中阱层与垒层的厚度比为1:2-1:5。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的增加GaN基反向电压的外延结构，其特征在于：所述低温缓冲层(2)的厚度为20-35nm；所述第二非掺杂u型GaN层(4)的厚度为2-3um；所述n型AlGaN电子阻挡层(7)的厚度为100-200nm；所述低温n型GaN层(9)的厚度为80-180nm；所述GaN垒层(13)的厚度为30-80nm；所述第一P型AlGaN/InGaN电子阻挡层(14)的厚度为30-50nm；所述第二P型AlGaN/InGaN电子阻挡层(15)的厚度为50-100nm；所述p型GaN层(16)的厚度为80-150nm；所述p型接触层(17)的厚度为5-10nm。
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