[实用新型]有机半导体薄膜晶体管以及显示装置与背板

权利要求书

1.一种有机半导体薄膜晶体管,其包括源极、漏极和栅极，其特征在于，还包括沟道层，所述沟道层中形成有沟道，所述沟道中设有有机半导体层，所述有机半导体层上形成有图案，所述源极和漏极设置于所述沟道层上，并与所述有机半导体层连接。

2.根据权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管具有顶栅结构，其进一步包括基底和栅极绝缘层，所述沟道层形成于所述基底上，所述源极和漏极间隔设置，所述栅极绝缘层覆盖于所述源极和漏极上，所述栅极形成于所述栅极绝缘层上。

3.根据权利要求2所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层伸入所述源极和漏极之间，与所述有机半导体层上表面相接。

4.根据权利要求2所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体层的下表面与所述基底的上表面相接。

5.根据权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管具有底栅结构，其进一步包括基底和栅极绝缘层，所述栅极形成于所述基底上，所述栅极绝缘层设于所述基底上并覆盖所述栅极，所述沟道层设置于所述栅极绝缘层的上方。

6.根据权利要求5所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体层的下表面与所述栅极绝缘层的上表面相接。

7.根据权利要求1至6任一项所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体层的上表面相对于所述沟道层凸出。

8.根据权利要求1至6任一项所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，在横向方向上，所述栅极与所述源极和所述漏极之间的间隔位置相对应，且所述栅极的宽度大于或等于所述间隔的宽度。

9.根据权利要求1至6任一项所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，在横向方向上，所述源极和所述漏极之间的间隔的宽度小于所述有机半导体层的宽度。

10.根据权利要求2至6任一项所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层是由可图案化的有机介电材料制成的。

11.一种显示装置的背板,其上设置有薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包括多个如权利要求1至10任一项所述的有机半导体薄膜晶体管。

12.根据权利要求11所述的显示装置的背板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，相邻有机半导体薄膜晶体管的沟道彼此相通。

13.根据权利要求11所述的显示装置的背板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包括多个呈矩阵分布的所述有机半导体薄膜晶体管，相邻有机半导体薄膜晶体管的沟道层彼此相接。

14.根据权利要求11所述的显示装置的背板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，其中一端或两端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道，所述分流道与所述沟道层连接且间隔设置以露出所述沟道。

15.根据权利要求14所述的显示装置的背板，其特征在于，所述分流道呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，所述分流道与所述沟道层连接一端的宽度大于远离所述沟道层一端的宽度。

16.根据权利要求11所述的显示装置的背板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，其中涂布方向末端的有机半导体薄膜晶体管上连接有阻挡结构，所述阻挡结构与所述沟道相接并阻挡所述沟道。

17.根据权利要求16所述的显示装置的背板，其特征在于，涂布方向首端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道，所述分流道与所述沟道层连接且间隔设置以露出所述沟道。

18.根据权利要求16所述的显示装置的背板，其特征在于，所述阻挡结构呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，所述阻挡结构与所述沟道连接一端的宽度大于远离所述沟道一端的宽度。

19.一种显示装置,其特征在于，包括如权利要求11至18任一项所述的显示装置的背板。