[实用新型]可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置

权利要求书

1.一种可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述反应室的外壁之上设置有多个在水平方向上成环形延伸的支撑架，其与电磁线圈一一对应，所述电磁线圈置放于支撑架之上，每一个电磁线圈与反应室的侧壁之间均存在一定间距；所述支撑架的底端面设置有沿支撑架延伸的冷却管道，其内部填充有冷凝水。

2.按照权利要求1所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个电磁线圈与反应室的侧壁之间的间距为1至5厘米。

3.按照权利要求2所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个电磁线圈与反应室的侧壁之间的间距为3厘米。

4.按照权利要求3所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述反应室中，每一个电磁线圈在反应室侧端面的投影位置上均设置有温度隔离层，其由陶瓷材料构成。

5.按照权利要求4所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个温度隔离层均由反应室的外壁延伸至反应室的内壁。

6.按照权利要求5所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个支撑架的上端面均设置有置放槽体，所述电磁线圈位于置放槽体内部，所述置放槽体的宽度与电磁线圈的宽度相同。

7.按照权利要求6所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个支撑架的下端面设置有冷却槽体，所述冷却管道位于冷却槽体内部；所述冷却槽体的上端面与置放槽体的底端面之间的距离至多为5厘米。

8.按照权利要求7所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述冷却槽体的上端面与置放槽体的底端面之间的距离为3厘米；所述冷却管道的底端面设置有多个沿水平方向延伸至反应室侧端面之上的辅助支撑板件。