[实用新型]电磁屏蔽结构及具有电磁屏蔽结构的电能传输装置有效
申请号: | 201520488021.2 | 申请日: | 2015-07-02 |
公开(公告)号: | CN204810806U | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 苏恒溢 | 申请(专利权)人: | 宁波微鹅电子科技有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;H02J17/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315200 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁 屏蔽 结构 具有 电能 传输 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及无线充电领域,更具体的说,涉及一种电磁屏蔽结构及具有电磁屏蔽结构的电能传输装置。
背景技术
无线充电技术作为电能传输的一项新兴技术,受到电子充电厂商的青睐,无线充电装置是利用电磁感应原理来实现能量的传输过程,其具有可靠性高、安全性好、并且易于自动充电等优点被广泛应用。无线充电装置通常包括有发射线圈和接收线圈,且两者是隔离放置的,在工作中,发射线圈在周围一定的空间范围内产生磁场,由于发射线圈磁通量的高频变化,使得位于磁场中的接收线圈感应出对应的高频电动势,从而完成能量的无线传输。
在无线充电装置中,为了增强感应线圈上方的磁场,提高电能发射线圈和接收线圈之间的耦合,通常将发射线圈和接收线圈放置在一磁片上,由于磁片的磁阻比较小,会吸引磁场,这样可以使得磁片下方空间中的磁场减弱,从而降低磁场对放置于磁片下方的被充电设备的影响。
对于接收线圈一边来说,通常为了进一步屏蔽磁场对被充电设备的影响,在磁片下方还会放置一层金属片,如铜片等。高频磁场会在铜片上产生涡流,涡流产生的反向磁场进一步抵消干扰磁场对被充电设备的影响,从而最大程度保护被充电设备的。
如上所述,磁片因为低磁阻会吸引磁场,铜片会产生涡流而排斥磁场,虽然两者都可以屏蔽磁场对下方被充电设备的影响,但是如果磁片和铜片形状或是大小设计不当,铜片的磁场排斥效应会同时减弱感应线圈上方的磁场,影响无线充电装置中能量发射线圈和接收线圈之间的耦合,降低能效。
实用新型内容
本实用新型提出了一种电磁屏蔽结构及具有电磁屏蔽结构的电能传输装置,通过设置接收部分中的磁片的面积或改变磁片的厚度以减弱铜片对磁场的抵消影响,在屏蔽磁场对被充电设备干扰的同时,可以保证感应线圈上方磁场的强度。
依据本实用新型的一种电磁屏蔽结构,包括第一屏蔽层和第二屏蔽层,所述第二屏蔽层放置所述第一屏蔽层之下,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层用以屏蔽空间的电磁场,以保护放置于所述第二屏蔽层之下的电子设备;
其中,所述第一屏蔽层的面积大于所述第二屏蔽层的面积和/或所述第一屏蔽层的厚度大于所述第二屏蔽层的厚度,并且,所述第一屏蔽层的长度和宽度均大于所述第二屏蔽层的长度和宽度。
优选的,所述第一屏蔽层的长度为所述第二屏蔽层的长度的1.01至2倍;
所述第一屏蔽层的宽度为所述第二屏蔽层的宽度的1.01至2倍。
进一步的,所述第二屏蔽层与所述第一屏蔽层相接触的表面为第一表面,相对的另一面为第二表面,所述第一屏蔽层的两端沿着垂直于所述第二表面并向第二表面的方向弯曲延伸。
优选的,所述第一屏蔽层的厚度为所述第二屏蔽层的厚度的2至100倍。
依据本实用新型的一种具有电磁屏蔽结构的电能传输装置,用于给充电设备供电,所述电能传输装置包括有发射部分和接收部分,
所述发射部分包括发射线圈,其接收高频交流电以在一定的空间范围内产生磁场;
所述接收部分包括接收线圈、用以放置所述接收线圈的第一屏蔽层以及贴合于所述第一屏蔽层放置的第二屏蔽层,所述接收线圈根据所述发射线圈激发的磁场获得对应的高频电动势,通过电压转换后给所述充电设备充电;
所述第一屏蔽层和第二屏蔽层用以屏蔽所述发射线圈激发的磁场,以保护所述充电设备,其中,所述第一屏蔽层的面积大于所述第二屏蔽层的面积和/或所述第一屏蔽层的厚度大于所述第二屏蔽层的厚度,并且,所述第一屏蔽层的长度和宽度均大于所述第二屏蔽层的长度和宽度。
优选的,所述第一屏蔽层的长度为所述第二屏蔽层的长度的1.01至2倍;
所述第一屏蔽层的宽度为所述第二屏蔽层的宽度的1.01至2倍。
进一步的,所述第二屏蔽层与所述第一屏蔽层相接触的表面为第一表面,相对的另一面为第二表面,所述第一屏蔽层的两端沿着垂直于所述第二表面并向第二表面的方向弯曲延伸。
进一步的,所述第一屏蔽层包围所述第二屏蔽层的边缘部分。
优选的,所述第一屏蔽层的厚度为所述第二屏蔽层的厚度的2至100倍。
优选的,所述第一屏蔽层为铁氧体磁片层,所述第二屏蔽层为铜片层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波微鹅电子科技有限公司,未经宁波微鹅电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520488021.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。