[实用新型]高抗震抗干扰测温传感器有效
申请号: | 201520474826.1 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN204831581U | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 潘常青;安东辉;王波;李川均;梁刚 | 申请(专利权)人: | 潘常青;安东辉;王波;李川均;梁刚 |
主分类号: | G01K1/08 | 分类号: | G01K1/08 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人: | 郑学伟 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抗震 抗干扰 测温 传感器 | ||
1.一种高抗震抗干扰测温传感器,其特征在于:它包括传感器探头及传感器电缆;
其中,所述传感器探头包括绝缘壳体及测温元件,所述绝缘壳体的第一端开设有一导线过线孔,所述绝缘壳体内沿其长度方向设置有一与所述导线过线孔相通的容置腔,所述测温元件设置于所述容置腔内;
所述传感器电缆的末端露至于所述导线过线孔外,以使形成为与外接设备相连接的自由段;所述传感器电缆的连接端自所述导线过线孔引入至所述容置腔,以使形成为与所述测温元件电连接的固定段;
所述测温元件及所述传感器电缆的连接端所形成的固定段通过导热防震胶水密封封装于所述容置腔内,以使其形成为一体的密封式悬浮结构,且所述导线过线孔处设有一密封护盖,所述传感器电缆的末端所形成的自由段的外表面套设有一抗干扰环。
2.根据权利要求1所述的高抗震抗干扰测温传感器,其特征在于:所述测温元件位于所述容置腔的底部,且所述容置腔的底部靠近所述绝缘壳体的第二端。
3.根据权利要求1-2任一项所述的高抗震抗干扰测温传感器,其特征在于:所述测温元件为薄膜铂电阻、铜热电阻、铂热电阻、铂铑30-铂铑6热电偶、镍铬-铜镍热电偶、镍铬-镍硅热电偶、铂铑10-铂热电偶、双金属温度计、玻璃温度计、半导体热敏电阻温度计中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的高抗震抗干扰测温传感器,其特征在于:所述传感器电缆包括位于最外层的保护层、位于中间的屏蔽层及位于最内层的芯线。
5.根据权利要求4所述的高抗震抗干扰测温传感器,其特征在于:所述测温元件的端脚与所述传感器电缆的连接端的位于最内层的芯线焊接连接。
6.根据权利要求5所述的高抗震抗干扰测温传感器,其特征在于:还包括通过一引线与所述测温元件的端脚信号连接的用以检测所述测温元件的故障的传感器故障自检装置及与所述传感器故障自检装置信号连接的声光报警器,所述传感器故障自检装置及所述声光报警器分别固定于所述绝缘壳体的第二端外。
7.根据权利要求6所述的高抗震抗干扰测温传感器,其特征在于:所述容置腔的底部贯穿所述绝缘壳体开有一小孔,所述引线烧结固定于所述小孔内。
8.根据权利要求7所述的高抗震抗干扰测温传感器,其特征在于:所述绝缘壳体采用耐温等级为C级的通过合适的树脂粘合或浸渍、涂覆后的云母、玻璃纤维、以及未经浸渍处理的云母、陶瓷、石英材料制作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于潘常青;安东辉;王波;李川均;梁刚,未经潘常青;安东辉;王波;李川均;梁刚许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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