[实用新型]一种多晶铸锭炉用的新型石英坩埚保护板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能行业的多晶铸锭炉，特别涉及一种多晶铸锭炉用的新型石英坩埚保护板。

背景技术

目前多晶铸锭炉由于使用的时间较久，设备有些老化特别是保温效果较差，在运行过程中温度散失较为严重，造成上下温差大、四面受热不均、热传不规律，熔化时隔热效果差，底部温度高，籽晶留不住。长晶时形成高低不平的长晶面，晶向弯曲生长，使得大大增加了功耗，降低了产品的质量，增加了运行时间，降低了产能。籽晶没留住，造成硅片位错增加，少子寿命和硅片的转换效率就越低。位错是晶体中局部滑移区域的边界线，即是晶体中的一种线缺陷；它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质(包括晶体生长)有着严重的影响。通过化学腐蚀可在晶体表面上观察到位错的露头处——腐蚀坑。

典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直，而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。此外，还有所谓位错环，这是在晶体内部的一个环形线，往往是由许多空位的集合——空洞塌陷而成。

位错除了有一定的施主、受主和杂质补偿的负作用以外，位错所造成的晶格畸变是散射载流子的中心,将严重散射载流子,影响迁移率；不过在位错密度<108/cm2时,这种散射作用可忽略。但在n-型Si中,位错作为受主中心电离后即形成一条带负电的线,这将对载流子产生各向异性的散射作用。

位错应力场与杂质的相互作用,使得杂质优先沿位错线沉积；特别是在Si中溶解度小、扩散快的重金属杂质(Cu、Fe、Au等),更容易沉积在位错线上。这就将形成大量的深能级复合中心,甚至引起导电通道等，严重影响硅片的使用寿命和转化效率。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种对于硅锭起到保温和隔热的效果，同时可以克服斜面长晶，尽量把长晶面控制在同一个平面，使得晶体生长过程中起到更好的分凝效果，减少微晶和位错的产生，更好的控制硅锭晶粒的均匀性，提高硅锭少子寿命，进而提高硅片的转换效率的多晶铸锭炉用的新型石英坩埚保护板。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种多晶铸锭炉用的新型石英坩埚保护板，设置于多晶铸锭炉坩埚四周的中下部，其特征在于，包括石墨护板、软毡和C-C盖板，所述软毡固定在所述石墨护板一侧，所述C-C盖板覆盖在所述软毡外侧。

采用上述技术方案的有益效果是取材方便，C-C盖板即为市面上的碳碳盖板，主要置于多晶铸锭炉坩埚四周的中下部，在长晶过程中保证硅锭的垂直温度是一个梯度。降低硅锭侧面中下部少子寿命红色区域所占比例。减少侧面温度的传播，最优的控制籽晶，从而提高硅锭品质。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进：

进一步，所述石墨护板的厚度为25mm。

进一步，所述软毡和所述C-C盖板的厚度相同，均为5mm。

采用上述进一步技术方案的有益效果在石墨护板厚度的基础上共加厚10mm，其目的是对于硅锭起到保温和隔热的效果，克服斜面长晶，尽量把长晶面控制在同一个平面，使得晶体生长过程中起到更好的分凝效果，减少微晶和位错的产生，更好的控制硅锭晶粒的均匀性，提高硅锭少子寿命，进而提高硅片的转换效率。

进一步，所述石墨护板上设有M12螺纹孔，所述软毡和所述C-C盖板上设有与所述M12螺纹孔位置相匹配的R6圆孔。

进一步，所述软毡和所述C-C盖板通过M12螺杆和M12螺母固定在所述石墨护板上。

进一步，所述石墨护板和所述软毡之间紧密贴合，所述软毡和所述C-C盖板之间紧密贴合。

进一步，所述石墨护板为高纯石墨材料，所述石墨护板表面光滑平整。

综上所述，本实用新型的有益效果是对硅锭有着良好的保温和隔热的效果，有效克服斜面长晶，尽量把长晶面控制在同一个平面，使得晶体生长过程中起到更好的分凝效果，减少微晶和位错的产生，更好的控制硅锭晶粒的均匀性，提高硅锭少子寿命，进而提高硅片的转换效率，降低了生产能耗，节约了生产成本，同时提高了产品的品质，增大了行业产能。

附图说明

图1为本实用主视结构示意图；

图2为本实用俯视结构示意图；

图3为本实用侧视结构示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、石墨护板，2、M12螺母，3、C-C盖板，4、软毡。

具体实施方式