[实用新型]LED外延结构有效
| 申请号： | 201520459643.2 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN204857766U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 | ||
1.一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：
衬底；
位于衬底上的n-GaN层；
位于n-GaN层上的InGaN/GaN量子阱层，所述InGaN/GaN量子阱层包括若干周期堆叠的GaN势垒层和InGaN势阱层，所述InGaN/GaN量子阱层上形成有若干V型坑；
位于InGaN/GaN量子阱层上的p-AlGaN层，所述p-AlGaN层填充InGaN/GaN量子阱层上的V型坑；
位于p-AlGaN层上的n-InGaN接触层。
2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述InGaN/GaN量子阱层为低温InGaN/GaN量子阱层，包括：
在700℃~850℃下形成的GaN势垒层；
在600℃~750℃下形成的InGaN势阱层。
3.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述InGaN/GaN量子阱层包括6~15个周期堆叠的GaN势垒层和InGaN势阱层。
4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述p-AlGaN层为在720℃~780℃下形成的低温p-AlGaN层，p-AlGaN层的厚度为50~200nm。
5.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述衬底和n-GaN层之间还包括GaN缓冲层。
6.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述衬底和n-GaN层之间还包括非故意掺杂GaN层。
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