[实用新型]生长在GaAs衬底上的InAs量子点有效
| 申请号： | 201520458641.1 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN204991654U | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 张曙光;李国强;温雷;高芳亮;李景灵 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/0304;H01L31/18;H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 gaas 衬底 inas 量子 | ||
【权利要求书】：
1.生长在GaAs衬底上的InAs量子点，其特征在于，由下至上依次包括GaAs(115)A衬底、InAs量子点层、GaAs盖层和In纳米结构层。
2.根据权利要求1所述的生长在GaAs衬底上的InAs量子点，其特征在于，所述InAs量子点层中InAs量子点的密度为1×1010-8×1010cm-2；量子点的平均高度为6-10纳米，平均直径为10-20纳米。
3.根据权利要求1所述的生长在GaAs衬底上的InAs量子点，其特征在于，所述GaAs盖层的厚度为4-10纳米。
4.根据权利要求1所述的生长在GaAs衬底上的InAs量子点，其特征在于，所述In纳米结构的平均直径为40-60纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
