[实用新型]一种晶圆承托结构有效

专利信息
申请号: 201520455915.1 申请日: 2015-06-29
公开(公告)号: CN204927259U 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 柴智;刘忆军 申请(专利权)人: 沈阳拓荆科技有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683
代理公司: 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人: 甄玉荃;霍光旭
地址: 110179 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 承托 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种半导体镀膜设备用的晶圆承托结构,此结构主要应用于半导体镀膜设备反应腔内常温或高温工艺过程中,属于半导体薄膜沉积的应用技术领域。

背景技术

半导体镀膜设备的晶圆与热盘之间需要有一定的间隙,间隙的大小对工艺结果有很大影响。目前的晶圆承托结构不可调节,完全依靠机械加工来保证此间隙,由于加工过程中存在误差,使承托结构的高度不一致,当误差过大时会对工艺结果产生负面影响,而且负面影响不能被消除。

发明内容

本实用新型以解决上述问题为目的,设计了可调节高度的晶圆承托结构,解决了现有晶圆承托结构不可调节的问题。

为实现上述目的,本实用新型采用下述技术方案:一种晶圆承托结构,利用陶瓷随温度变化形变小,再通过螺纹调整高度,使晶圆与热盘之间的间隙保持一致。该结构包括热盘(1)、陶瓷套(2)、陶瓷柱(3)及调整扳手(4)。所述陶瓷柱(3)制有外螺纹,陶瓷套(2)制有内螺纹,陶瓷套(2)与陶瓷柱(3)通过螺纹连接。

上述热盘(1)加工有圆形沉孔,将陶瓷套(2)放入沉孔,再将陶瓷柱(3)用调整扳手(4)旋入陶瓷套(2)。陶瓷柱(3)顶端制有球面凸起,球面凸起与调整扳手(4)底部的凹面相匹配。

所述陶瓷柱(3)顶端的球面凸起用于承托晶圆,用高度尺测量陶瓷柱(3)球面凸起与热盘(1)上表面的高度,用调整扳手(4)微调陶瓷柱(3)使其达到所需高度,用同样方法将热盘(1)上的全部承托结构调至同一高度即可。如需改变间隙,只需用调整扳手(4)重新微调陶瓷柱(3)至所需高度。

上述高度调节是在常温条件下进行的但是使用却是在高温条件下,因考虑到物体都有热胀冷缩的效应,而陶瓷的热变形非常小,温度变化造成的变形量可忽略不计,因此可以满足常温调整而在高温下使用的技术要求。

本实用新型的有益效果及特点在于:

本实用新型由于采用了新的结构设计,降低了对机械加工精度的要求,解决了现有晶圆承托结构不可调节的问题。通过使用调整扳手微调陶瓷柱使其达到所需高度,用同样方法将热盘上的全部承托结构调至同一高度即可。如需改变间隙,只需用调整扳手重新微调陶瓷柱至所需高度。具有结构简单,调节、拆装方便,定位精度高及安全可靠的特点。可广泛应用于半导体薄膜沉积技术领域。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中零件标号分别代表:

1、热盘;2、陶瓷套;3、陶瓷柱;4、调整扳手。

具体实施方式

实施例

参照图1,一种晶圆承托结构,包括热盘1、陶瓷套2、陶瓷柱3及调整扳手4。所述陶瓷柱3制有外螺纹;所述陶瓷套2制有内螺纹,陶瓷套2与陶瓷柱3螺纹连接。

上述热盘1加工有圆形沉孔,将陶瓷套2放入沉孔,再将陶瓷柱3用调整扳手4旋入陶瓷套2。陶瓷柱3顶端制有球面凸起,球面凸起与调整扳手4底部的凹面相匹配。

所述陶瓷柱3顶端的球面凸起用于承托晶圆,用高度尺测量陶瓷柱3球面凸起与热盘1上表面的高度,用调整扳手4微调陶瓷柱3使其达到所需高度,用同样方法将热盘1上的全部承托结构调至同一高度即可。如需改变间隙,只需用调整扳手4重新微调陶瓷柱3至所需高度。

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