[实用新型]一种晶圆承托结构有效
申请号: | 201520455915.1 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN204927259U | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 柴智;刘忆军 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃;霍光旭 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 承托 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体镀膜设备用的晶圆承托结构,此结构主要应用于半导体镀膜设备反应腔内常温或高温工艺过程中,属于半导体薄膜沉积的应用技术领域。
背景技术
半导体镀膜设备的晶圆与热盘之间需要有一定的间隙,间隙的大小对工艺结果有很大影响。目前的晶圆承托结构不可调节,完全依靠机械加工来保证此间隙,由于加工过程中存在误差,使承托结构的高度不一致,当误差过大时会对工艺结果产生负面影响,而且负面影响不能被消除。
发明内容
本实用新型以解决上述问题为目的,设计了可调节高度的晶圆承托结构,解决了现有晶圆承托结构不可调节的问题。
为实现上述目的,本实用新型采用下述技术方案:一种晶圆承托结构,利用陶瓷随温度变化形变小,再通过螺纹调整高度,使晶圆与热盘之间的间隙保持一致。该结构包括热盘(1)、陶瓷套(2)、陶瓷柱(3)及调整扳手(4)。所述陶瓷柱(3)制有外螺纹,陶瓷套(2)制有内螺纹,陶瓷套(2)与陶瓷柱(3)通过螺纹连接。
上述热盘(1)加工有圆形沉孔,将陶瓷套(2)放入沉孔,再将陶瓷柱(3)用调整扳手(4)旋入陶瓷套(2)。陶瓷柱(3)顶端制有球面凸起,球面凸起与调整扳手(4)底部的凹面相匹配。
所述陶瓷柱(3)顶端的球面凸起用于承托晶圆,用高度尺测量陶瓷柱(3)球面凸起与热盘(1)上表面的高度,用调整扳手(4)微调陶瓷柱(3)使其达到所需高度,用同样方法将热盘(1)上的全部承托结构调至同一高度即可。如需改变间隙,只需用调整扳手(4)重新微调陶瓷柱(3)至所需高度。
上述高度调节是在常温条件下进行的但是使用却是在高温条件下,因考虑到物体都有热胀冷缩的效应,而陶瓷的热变形非常小,温度变化造成的变形量可忽略不计,因此可以满足常温调整而在高温下使用的技术要求。
本实用新型的有益效果及特点在于:
本实用新型由于采用了新的结构设计,降低了对机械加工精度的要求,解决了现有晶圆承托结构不可调节的问题。通过使用调整扳手微调陶瓷柱使其达到所需高度,用同样方法将热盘上的全部承托结构调至同一高度即可。如需改变间隙,只需用调整扳手重新微调陶瓷柱至所需高度。具有结构简单,调节、拆装方便,定位精度高及安全可靠的特点。可广泛应用于半导体薄膜沉积技术领域。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图中零件标号分别代表:
1、热盘;2、陶瓷套;3、陶瓷柱;4、调整扳手。
具体实施方式
实施例
参照图1,一种晶圆承托结构,包括热盘1、陶瓷套2、陶瓷柱3及调整扳手4。所述陶瓷柱3制有外螺纹;所述陶瓷套2制有内螺纹,陶瓷套2与陶瓷柱3螺纹连接。
上述热盘1加工有圆形沉孔,将陶瓷套2放入沉孔,再将陶瓷柱3用调整扳手4旋入陶瓷套2。陶瓷柱3顶端制有球面凸起,球面凸起与调整扳手4底部的凹面相匹配。
所述陶瓷柱3顶端的球面凸起用于承托晶圆,用高度尺测量陶瓷柱3球面凸起与热盘1上表面的高度,用调整扳手4微调陶瓷柱3使其达到所需高度,用同样方法将热盘1上的全部承托结构调至同一高度即可。如需改变间隙,只需用调整扳手4重新微调陶瓷柱3至所需高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造