[实用新型]具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构

权利要求书

1.具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构，它从下至上依次包括图形化衬底（1）、GaN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区、电子阻挡层（7）和P型GaN层（8），其特征在于：所述有源区包括多量子阱层（5）和生长在多量子阱层（5）上的发光层多量子阱层（6），所述多量子阱层（5）包括In_XGa_1-XN阱层（51）和生长在In_XGa_1-XN阱层（51）上的GaN垒层（52），所述发光层多量子阱层（6）包括发光层阱层（61）和生长在发光层阱层（61）上的发光层垒层（62），所述发光层阱层（61）和发光层垒层（62）交替生长，生长周期为5-20个周期，所述发光层阱层（61）包括从下至上依次生长的In组分不同的In_XGa_1-XN层（611）且 0<x<1、In_yGa_1-yN过渡层（612）且0< y<x和GaN过渡层（613)。

2.根据权利要求1所述的具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构，其特征在于：所述多量子阱层（5）由2至10个周期的In_XGa_1-XN阱层（51）和GaN垒层（52）组成，其中In的组份是不变的,x值介于0.15至0.45之间，所述In_XGa_1-XN阱层（51）的厚度在1-5nm之间；GaN垒层（52）厚度不变，其厚度在5-7.5 nm之间。

3.根据权利要求1或2所述的具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构，其特征在于：所述多量子阱层（5）的厚度小于发光层多量子阱层（6）。

4.根据权利要求3所述的具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构，其特征在于：在所述发光层阱层（61）的2/5~4/5处生长一层In的组分由x递减到0的In_yGa_1-yN过渡层（612），在发光层阱层（61）的4/5~1处生长一层GaN过渡层（613）。

5.根据权利要求4所述的具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构，其特征在于：所述In_XGa_1-XN层(611)的厚度为2-5nm ，In组分为0.15<x<0.45；In_yGa_1-yN层(612)的生长厚度为2-5nm，In组分由x递减到0；GaN过渡层(613)的生长厚度为1-2.5nm。

6.根据权利要求5所述的具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构，其特征在于：所述发光层垒层（62）为GaN垒层，在周期生长中，所述发光层垒层（62）的厚度不变且大于多量子阱层（5）中GaN垒层(52)的厚度，所述发光层垒层（62）的厚度在10-15nm之间。