[实用新型]一种硅电容麦克风有效
| 申请号： | 201520430620.9 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN204697294U | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛;杨少军 | 申请（专利权）人： | 北京卓锐微技术有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;陈士骞 |
| 地址： | 100191 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 麦克风 | ||
1.一种硅电容麦克风，其特征在于，包括：基底；振膜，设置在所述基底的上方，该振膜边缘带有支撑梁结构；穿孔背极，该穿孔背极设置在所述振膜的上方并支撑在所述基底上；以及位于所述振膜与所述穿孔背极之间的空气间隙，其中，所述穿孔背极覆盖所述振膜所带的支撑梁结构上方至少50％区域。
2.根据权利要求1所述的硅电容麦克风，其特征在于，在所述穿孔背极上还设置有开槽，并形成悬臂梁结构。
3.根据权利要求2所述的硅电容麦克风，其特征在于，所述开槽贯穿所述穿孔背极上的开孔。
4.根据权利要求2所述的硅电容麦克风，其特征在于，所述悬臂梁结构在基底平面上的投影与所述支撑梁结构在基底平面上的投影平行重合或垂直交叉。
5.根据权利要求1所述的硅电容麦克风，其特征在于，在所述穿孔背极下方还设置有突起结构，和/或在所述支撑梁结构可动部分下表面设置有突起结构。
6.根据权利要求1所述的硅电容麦克风，其特征在于，所述支撑梁结构，相对下方基底固定或相对上方穿孔背极边缘固定。
7.根据权利要求1所述的硅电容麦克风，其特征在于，所述支撑梁结构为折叠梁结构。
8.根据权利要求7所述的硅电容麦克风，其特征在于，所述折叠梁结构转折部分上方的穿孔背极材料下表面高度低于支撑梁结构上表面高度。
9.根据权利要求7所述的硅电容麦克风，其特征在于，所述折叠梁结构的转折部分边缘形状为样条曲线。
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