[实用新型]一种新结构PQ型磁芯

说明书

技术领域

本实用新型涉及磁芯技术领域，尤其是涉及一种新结构PQ型磁芯。

背景技术

为了增加电磁体的磁感应强度，在电感线圈的磁路中设置的导磁物质体称为磁芯。客户原使用的PQ26磁芯由于电子元器件工作直流电流的不断加大，导致其直流叠加特性已无法满足整机的需要，需要改进。传统标准上PQ26磁芯已不能满足现在电器的装配需求。

如图1所示，现有PQ26磁芯的俯视图，包括磁芯底板2、磁芯芯柱1及分设在磁芯芯柱1两侧的磁芯边腿3，所述磁芯芯柱1的上下边缘凸出磁芯底板2的范围，所述磁芯底板2为带折点的向内扇形，扇形边延伸与磁芯芯柱1相交连接，所述两侧磁芯边腿3相对应内壁的距离b为16mm，所述磁芯边腿3的外壁长度d为19mm。所述磁芯底板2的折点直接的距离e为7mm，所述磁芯芯柱1凸出磁芯底板2部分的横向距离f为5.5mm。

如图2所示，现有PQ26磁芯的剖面示意图，所述两侧的磁芯边腿3的外壁之间的距离a为26.5mm所述磁芯芯柱1的截面直径c为12mm。

通过分析，要想提高磁芯的输出功率，需要从磁芯边腿的磁通面积、磁芯芯柱的磁通面积及磁芯底板的磁通面积这三方面着手进行改进，并且磁芯整体的体积不能过大，防止不能在现有的预装空间里进行安装。

发明内容

发明目的：针对现有技术的不足，申请人经过多次实践改进，设计了一种新结构PQ型磁芯，同时增加了磁芯边腿的磁通面积、磁芯芯柱的磁通面积及磁芯底板的磁通面积。

技术方案：为了实现上述发明目的，本实用新型所采用的技术方案为：一种新结构PQ型磁芯，包括磁芯底板、磁芯芯柱及分设在磁芯芯柱两侧的磁芯边腿，所述磁芯芯柱的上下边缘凸出磁芯底板的范围，所述磁芯底板为带折点的向内扇形，扇形边延伸与磁芯芯柱相交连接。

本实用新型的一个目的为增加磁芯边腿的磁通面积，采用的技术改进方案为：所述两侧的磁芯边腿的外壁之间的距离a为27.8mm，所述两侧磁芯边腿相对应内壁的距离b为16.5mm，所述磁芯边腿的外壁长度d为19.5mm。

本实用新型的又一个目的为增加磁芯芯柱的磁通面积，采用的技术改进方案为：加粗原有的磁芯芯柱，即将所述磁芯芯柱的截面直径c增加为12.3mm。

本实用新型的还一个目的为增加磁芯底板的磁通面积，采用的技术改进方案为：所述磁芯底板的折点之间的距离e增加为4mm，所述磁芯芯柱凸出磁芯底板部分的横向距离f缩小为2.5mm。

有益效果：本实用新型与现有技术相比，其有益效果是：

本实用新型同时增加了磁芯边腿的磁通面积、磁芯芯柱的磁通面积及磁芯底板的磁通面积，能够耐受电子元器件更高的工作直流电流，使用寿命得到进一步延长。

附图说明

图1为现有PQ26磁芯的俯视图。

图2为现有PQ26磁芯的剖面示意图。

图3为本实用新型一种新结构PQ型磁芯的俯视图。

图4为本实用新型一种新结构PQ型磁芯的结构示意图。

具体实施方式

下面通过一个最佳实施例，对本技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。

如图3所示，一种新结构PQ型磁芯，包括磁芯底板2、磁芯芯柱1及分设在磁芯芯柱1两侧的磁芯边腿3，所述磁芯芯柱1的上下边缘凸出磁芯底板2的范围，所述磁芯底板2为带折点的向内扇形，扇形边延伸与磁芯芯柱1相交连接。所述两侧的磁芯边腿3的外壁之间的距离a为27.8mm，所述两侧磁芯边腿3相对应内壁的距离b为16.5mm，所述磁芯边腿3的外壁长度d为19.5mm。所述磁芯底板2的折点之间的距离e为4mm，所述磁芯芯柱1凸出磁芯底板2部分的横向距离f为2.5mm

如图4所示，所述磁芯芯柱1的截面直径c为12.3mm。并且磁芯芯柱1两侧的磁芯边腿3呈对称分布。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。