[实用新型]一种电压调整电路

权利要求书

1.一种电压调整电路，其特征在于，其包括：高压双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、二极管电路和电流产生电路，

所述高压双极型晶体管的第一电极与电压调整电路的输入端相连，其第二电极与电压调整电路的输出端相连，第一电阻连接于所述电压调整电路的输入端和所述高压双极型晶体管的基极之间；

所述二极管电路的正极与所述高压双极型晶体管的基极相连，其负极与第二电阻的一端相连，第二电阻的另一端与地节点相连，所述二极管电路包括依次串联于其正极和负极之间的一个或多个负温度系数的二极管单元；

所述电流产生电路的输入端与所述电压调整电路的输出端相连，电流产生电路的输出端与所述二极管电路的负极和第二电阻之间的连接节点相连，所述电流产生电路基于电压调整电路的输出端的电压输出具有正温度系数的反馈电流，该反馈电流流向第二电阻。

2.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，

所述外接高压双极型晶体管为NPN型晶体管，所述第一电极为集电极，所述第二电极为发射极。

3.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，

所述外接高压双极型晶体管为PNP型晶体管，所述第一电极为发射极，所述第二电极为集电极。

4.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，

所述第二电阻具有正温度系数，

二极管单元为二极管或二极管接法的低压双极型晶体管。

5.根据权利要求4所述的电压调整电路，其特征在于，

所述二极管单元为NPN型晶体管，该NPN型晶体管的基极与其集电极相连，以作为所属的二极管单元的正极，该NPN型晶体管的发射极作为所属的二极管单元的负极。

6.根据权利要求4所述的电压调整电路，其特征在于，

所述二极管单元为PNP型晶体管，该PNP型晶体管的基极与其发射极相连，以作为所属的二极管单元的负极，该PNP型晶体管的集电极作为所属的二极管单元的正极。

7.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，所述电流产生电路 包括NMOS晶体管M1和M2，PMOS晶体管M3、M4和M5、第三电阻，双极型晶体管Q1和Q2，

所述PMOS晶体管M3、M4和M5的源极均与电压调整电路的输出端相连，PMOS晶体管M3的栅极和M5的栅极均与PMOS晶体管M4的栅极相连，所述PMOS晶体管M4的漏极与PMOS晶体管M4的栅极相连；所述NMOS晶体管M1的漏极与所述PMOS晶体管M3的漏极相连，NMOS晶体管M1的栅极与NMOS晶体管M1的漏极相连，NMOS晶体管M1的源极与双极型晶体管Q1的第一电极相连，所述双极型晶体管Q1的基极和第二电极均与地节点相连；所述NMOS晶体管M2的漏极与所述PMOS晶体管M4的漏极相连，其栅极所述NMOS晶体管M1的栅极相连，其源极与第三电阻的一端相连，第三电阻的另一端与所述双极型晶体管Q2的第一电极相连，所述双极型晶体管Q2的基极和第二电极均与地节点相连；所述PMOS晶体管M5的漏极作为所述电流产生电路的输出端。

8.根据权利要求7所述的电压调整电路，其特征在于，

双极型晶体管Q2的基极-发射极面积为双极型晶体管Q1的基极-发射极面积的m倍，其中，m＞1。

9.根据权利要求8所述的电压调整电路，其特征在于，

所述双极型晶体管Q1和Q2均为PNP型晶体管，双极型晶体管Q1和Q2的第一电极均为射极，第二电极均为集电极，或者，

双极型晶体管Q1和Q2均为NPN型晶体管，所述双极性晶体管Q1和Q2的第一电极均为集电极，第二电极均为射极。

10.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，在电压调整电路的输入端接入高输入电压时，在高压双极性晶体管的基极迅速建立低启动电压，在低启动电压建立之后，电流产生电路提供正温度系数的电流给第二电阻，以抬升高压双极性晶体管的基极电压至额定电压。