[实用新型]一种大功率输出MCU调压电路

权利要求书

1.一种大功率输出MCU调压电路，其特征在于：包括升降压拓扑电路、MOS驱动电路、MCU和电源电路，所述MOS驱动电路与所述升降压拓扑电路连接，所述MOS驱动电路和所述升降压拓扑电路均与所述MCU连接，所述升降压拓扑电路、MOS驱动电路和MCU分别与所述电源电路连接。

2.根据权利要求1所述一种大功率输出MCU调压电路，其特征在于：所述电源电路包括电池、LDO稳压电路和泵压电路，所述升降压拓扑电路、LDO稳压电路和泵压电路分别与所述电池连接，所述LDO稳压电路与所述MCU连接，用于给所述MCU提供3V稳定电压，所述泵压电路与所述MOS驱动电路连接，用于给所述MOS驱动电路提供5V稳定电压。

3.根据权利要求2所述一种大功率输出MCU调压电路，其特征在于：还包括电池电压检测电路，所述电池电压检测电路的输入端与所述电池连接，输出端与所述MCU连接,所述电池电压检测电路包括电阻R3、电阻R6和电容C6，所述电池的正负极之间顺次串联有所述电阻R3和电阻R6，所述电阻R3和电阻R6的公共端通过所述电容C6与所述电池的负极连接，所述电池的负极与地连接。

4.根据权利要求2所述一种大功率输出MCU调压电路，其特征在于：所述MOS驱动电路包括三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8、电阻R44和电阻R45，所述三极管Q5的发射极与所述三极管Q6的发射极连接，且二者的公共端与所述MCU的PWM输出端连接，所述三极管Q7的集电极与所述三极管Q8的集电极连接，且二者的公共端与所述升降压拓扑电路的输入端连接，所述三极管Q5的集电极与所述三极管Q7的基极连接，所述三极管Q6的集电极与所述三极管Q8的基极连接，所述三极管Q7的发射极与所述泵压电路的输出端连接，所述三极管Q8的发射极与地连接，所述电阻R44和电阻R45顺次串联在所述泵压电路的输出端与地之间，所述三极管Q5的基极与所述三极管Q6的基极连接，且二者的公共端与所述电阻R44和电阻R45的公共端连接。

5.根据权利要求4所述一种大功率输出MCU调压电路，其特征在于：所述MOS驱动电路还包括PWM反向电路，所述PWM反向电路的输入端与所述MCU的PWM输出端连接，所述PWM反向电路的输出端与所述三极管Q5的发射极连接，所述PWM反向电路包括三极管Q9、电阻R46、电阻R47、电阻R48和电容C48，所述三极管Q9的集电极与所述三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q9的集电极通过R46连接到泵压电路的输出端，所述三极管Q9的发射极与地连接，所述三极管Q9的基极与所述MCU的PWM输出端之间顺次连接有所述电阻R47和电容C48，所述电阻R47和电容C48的公共端通过所述电阻R48接地。

6.根据权利要求2所述一种大功率输出MCU调压电路，其特征在于：所述升降压拓扑电路包括电感L1、电感L2、电阻R41、电阻R42、电容C41、电容C45、电容C46、MOS管U2、二极管D5和电流采样电阻R09，所述电容C45和电容C46并联，且所述电容C45和电容C46的一个公共端与地之间顺次串联有所述电感L1和电容C41，所述电感L1和电容C41的公共端与所述电池正极连接，所述电容C45和电容C46的另一端与所述二极管D5的正极连接，所述二极管D5的负极与地之间通过所述电阻R41与电阻R42顺次串联，所述二极管D5的负极与所述电阻R41的公共端与外部负载的输入端连接，外部负载的输出端通过所述电阻R09接地，所述MOS管的1、2、3号引脚分别接地，4号引脚与所述MOS驱动电路的输出端连接，5、6、7、8号引脚分别与所述电感L1与电容C45的公共端连接。

7.根据权利要求6所述一种大功率输出MCU调压电路，其特征在于：所述升降压拓扑电路还包括用于滤波的电容C42和电容C44，所述二极管D5的负极分别通过所述电容C42和电容C44与地连接。

8.根据权利要求6所述一种大功率输出MCU调压电路，其特征在于：所述升降压拓扑电路还包括稳压二极管Z1和稳压二极管Z2，所述MOS管的4号引脚与地之间通过所述稳压二极管Z1和稳压二极管Z2顺次连接。

9.根据权利要求2至8任一项所述一种大功率输出MCU调压电路，其特征在于：还包括电流检测放大电路，所述电流检测放大电路包括电阻R05、电阻R06、电阻R07、电阻R08、电容C01、电容C03和放大芯片U1，所述放大芯片U1的1号引脚与地之间顺次串联有所述电阻R08和电阻R06，2号引脚与所述电阻R08和电阻R06的公共端连接，3号引脚通过所述电阻R05与外部负载的输出端连接，3号引脚通过所述电容C03与地连接，4号引脚与地连接，8号引脚通过所述电阻R07与所述泵压电路的输出端连接，8号引脚通过所述电容C01与地连接。