[实用新型]生长C偏M向蓝宝石单晶的泡生法单晶炉结构

权利要求书

1.一种生长C偏M向蓝宝石单晶的泡生法单晶炉结构，其特征在于它包括籽晶杆换热器、上隔热屏、电极、加热体、侧隔热屏、坩埚盖、坩埚、钨盘、支柱、下隔热屏及底部保温砖结构，籽晶夹固定在籽晶杆换热器上，上隔热屏设置在加热体上方，电极设置在上隔热屏两侧上方，侧隔热屏设置在加热体外侧，下隔热屏设置在加热体下方，蓝宝石单晶设置在坩埚内，坩埚设置在加热体内，钨盘设置在坩埚下方，支柱连接钨盘，侧隔热屏由顺次设置的钼筒、保温砖层、保温填料层组成。

2.根据权利要求1所述的一种生长C偏M向蓝宝石单晶的泡生法单晶炉结构，其特征在于所述的籽晶杆热换器的冷却水管原来的2分水管调整为4分水管。

3.根据权利要求2所述的一种生长C偏M向蓝宝石单晶的泡生法单晶炉结构，其特征在于所述的侧隔热屏中钼筒采用多层钼筒。

4.根据权利要求3所述的一种生长C偏M向蓝宝石单晶的泡生法单晶炉结构，其特征在于所述的侧隔热屏钼筒为5~12层，厚度0.3~2mm的多层钼筒，中间保温砖层为厚度20~100mm的氧化锆、氧化镁或氧化铝纤维砖拼接结构，保温砖层外为厚度20~70mm的氧化铝球保温填料。

5.根据权利要求4所述的一种生长C偏M向蓝宝石单晶的泡生法单晶炉结构，其特征在于所述的支柱直径50~120mm，高度270~450mm，支柱与钨盘接触一侧有直径5~40mm，深度20~100mm的盲孔。

6.根据权利要求5所述的一种生长C偏M向蓝宝石单晶的泡生法单晶炉结构，其特征在于所述的下隔热屏为7~25层钼片，厚度1~4mm。