[实用新型]可控硅式发射器有效

专利信息
申请号: 201520405666.5 申请日: 2015-06-14
公开(公告)号: CN204681348U 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 杨飞 申请(专利权)人: 重庆尊来科技有限责任公司
主分类号: H04B1/04 分类号: H04B1/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 401424 重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 可控硅 发射器
【权利要求书】:

1.可控硅式发射器,其特征是:由电池、控制开关、可控硅型控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成;

其中:电池的负极接可控硅式发射器的地线,电池的正极接控制开关的一端,控制开关的另一端为可控硅式发射器的电源;

编码集成电路的地址码中的一位地址码接为变动码,连接可控硅型控制电路的输出,其余接为固定码;

可控硅型控制电路由积分电路、可控硅、阳极电阻组成;

积分电路由积分电阻、放电二极管、门坎稳压管、积分电阻组成;

阳极电阻接在电源与可控硅的阳极之间,积分电阻的一端接可控硅的阳极,另一端接积分电容的正极,积分电容的负极接地线,放电二极管的正极接在积分电容的正极上,负极接在可控硅的阳极上,门坎稳压管的正极接积分电容的正极,门坎稳压管的负极接可控硅的控制极,可控硅的阴极接地线,可控硅的阳极即是可控硅型控制电路的输出,连接编码集成电路的变动码;

编码集成电路的输出连接射频电路。

2.根据权利要求1所述的可控硅式发射器,其特征是:可控硅型控制电路中的阳极电阻的功率为二分之一瓦。

3.根据权利要求1所述的可控硅式发射器,其特征是可控硅为单向可控硅。

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