[实用新型]可控硅式发射器有效
申请号: | 201520405666.5 | 申请日: | 2015-06-14 |
公开(公告)号: | CN204681348U | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 杨飞 | 申请(专利权)人: | 重庆尊来科技有限责任公司 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 401424 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可控硅 发射器 | ||
1.可控硅式发射器,其特征是:由电池、控制开关、可控硅型控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成;
其中:电池的负极接可控硅式发射器的地线,电池的正极接控制开关的一端,控制开关的另一端为可控硅式发射器的电源;
编码集成电路的地址码中的一位地址码接为变动码,连接可控硅型控制电路的输出,其余接为固定码;
可控硅型控制电路由积分电路、可控硅、阳极电阻组成;
积分电路由积分电阻、放电二极管、门坎稳压管、积分电阻组成;
阳极电阻接在电源与可控硅的阳极之间,积分电阻的一端接可控硅的阳极,另一端接积分电容的正极,积分电容的负极接地线,放电二极管的正极接在积分电容的正极上,负极接在可控硅的阳极上,门坎稳压管的正极接积分电容的正极,门坎稳压管的负极接可控硅的控制极,可控硅的阴极接地线,可控硅的阳极即是可控硅型控制电路的输出,连接编码集成电路的变动码;
编码集成电路的输出连接射频电路。
2.根据权利要求1所述的可控硅式发射器,其特征是:可控硅型控制电路中的阳极电阻的功率为二分之一瓦。
3.根据权利要求1所述的可控硅式发射器,其特征是可控硅为单向可控硅。
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