[实用新型]一种电润湿显示器有效

专利信息
申请号: 201520398319.4 申请日: 2015-06-10
公开(公告)号: CN204790184U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 周蕤;唐彪;郭媛媛;罗伯特·安德鲁·海耶斯;周国富 申请(专利权)人: 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院
主分类号: G02B26/00 分类号: G02B26/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 唐致明
地址: 510631 广东省广州市大学城*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 润湿 显示器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种电润湿显示器。

背景技术

电润湿显示器(EFD,ElectrofluidicDisplay),又名电湿润显示器,是一种反射式显示器,参照图1和图2,电润湿显示器结构上由上基板1、封装胶框2及下基板4组成,下基板4包含导电下基板3(TFT或ITO基板)、憎水性绝缘层5、像素墙结构层6。上基板1和下基板4组成的密封腔体中填充有油墨7和电解质溶液8两种互不溶的流体,电润湿显示器件通过两种流体的相对运动来产生显示效果:当上下基板间没有施加电压的时候,油墨7铺展在像素格中,显示油墨的颜色;当施加电压时,油墨7收缩,显示下基板4的颜色。由于电润湿显示器件依靠相对运动的流体反射环境光源实现显示效果,具有能耗低、对人眼无刺激性、响应速度快、可显示动态视频等显著优点。电润湿显示器的憎水性绝缘层5是其核心功能结构,该层覆盖下基板4的导电下基板3,在其之上是具有像素格结构的像素墙结构层6。憎水性绝缘层5必须具有良好的憎水性及一定的亲油性,才能保证电润湿显示器中油墨7及电解质溶液8这两种互不相溶液体界面的稳定性。目前,电润湿器件的憎水性绝缘层5都为连续的膜状结构,由于憎水性绝缘层5先天性具有低表面能的特点,使得在其之上直接制备像素墙结构层6时会出现黏附性不好而分层剥离的现象。因此,目前电润湿器件生产工艺流程中,在制备憎水性绝缘层5后须进行表面改性以提高其黏附性,然后在其上制备像素墙结构层6。在完成像素墙结构6的曝光显影后,再将下基板4置于气氛炉中回炉热处理,以恢复憎水性绝缘层5在相邻像素墙内的区域的表面憎水性,即像素格9内的憎水性绝缘层5的表面憎水性。此种工艺不仅流程复杂,且回炉热处理工艺易导致像素墙结构层6的变色及像素格变形,会直接影响显示器的效果。

实用新型内容

针对上述问题,本实用新型的目的在于提供一种电润湿显示器。

本实用新型所采取的技术方案是:

一种电润湿显示器,包括导电下基板和形成在其上的憎水性绝缘层和像素墙结构,其特征在于,所述憎水性绝缘层与像素格形状和位置一一对应,以离散的点阵状排布,所述像素墙结构层与憎水性绝缘层精密对位,位于憎水性绝缘层点阵的间隙处,完全覆盖憎水性绝缘层的间隙处的导电下基板,所述憎水性绝缘层与所述像素墙结构层组成一个连续的膜结构。

优选地,所述像素格呈正方形,每块憎水性绝缘层为正方形,二者边长相同。

进一步地,相邻两块憎水性绝缘层的间距略小于像素墙的宽度。

进一步地,所述像素墙的宽度为10-15μm,相邻两块憎水性绝缘层的间距为5-10μm。

优选地,所述憎水性绝缘层的厚度为0.5-1μm。

本实用新型的有益效果是:

目前电润湿显示器生产工艺中,需要在制备憎水性绝缘层和像素墙结构层生产工艺复杂,且生产后的回炉热处理工艺易导致像素墙结构层的变色及像素格变形,针对这一问题,本实用新型提供了一种电润湿显示器,包括导电下基板和形成在其上的憎水性绝缘层和像素墙结构,憎水性绝缘层与像素格形状和位置一一对应,以离散的点阵状排布,像素墙结构层与憎水性绝缘层精密对位,位于憎水性绝缘层点阵的间隙处,完全覆盖憎水性绝缘层的间隙处的导电下基板,憎水性绝缘层与像素墙结构层组成一个连续的膜结构。该种点阵憎水性绝缘层电润湿显示器,制备工艺流程简单,避免了常规的电润湿器件工艺流程中的回炉工序,消除了回炉工艺中存在的像素结构变形问题,提升了产品质量。

附图说明

图1为常规电润湿显示器结构简图。

图2为电润湿显示器像素墙结构简图。

图3为点阵憎水性绝缘层电润湿显示器结构简图。

图4为点阵憎水性绝缘层电润湿显示器下基板局部剖面图。

图5为点阵憎水性绝缘层电润湿显示器下基板局部立体剖面图。

附图标记说明:

1-上基板;2-封装胶框;3-导电下基板;4-下基板;5-憎水性绝缘层;6-像素墙结构层;7-油墨;8-电解质溶液;9-像素格。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院,未经华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520398319.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top