[实用新型]一种交叉指状Y轴磁电阻传感器

权利要求书

1.一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，包括衬底、位于衬底之上的第一梳状软磁通量引导器、第二梳状软磁通量引导器及推挽式磁电阻传感单元电桥；

所述第一梳状软磁通量引导器的第一梳齿和第一梳座和所述第二梳状软磁通量引导器的第二梳齿和第二梳座均为矩形，所述第一梳齿和所述第二梳齿长轴和短轴分别平行于Y轴和X轴，所述第一梳座和第二梳座长轴和短轴分别平行于X轴和Y轴；

所述第一梳状软磁通量引导器和所述第二梳状软磁通量引导器之间形成交叉指状结构，相邻所述第一梳齿和所述第二梳齿之间依次交替形成第一间隙和第二间隙，且所述第二梳齿与所述第一梳座之间、所述第一梳齿与所述第二梳座之间也形成间隙；

所述推挽式磁电阻传感单元电桥包括推、挽磁电阻传感单元串，所述推、挽磁电阻传感单元串均包括多个串联和/或并联的磁电阻传感单元，且平行于Y轴方向，并交替位于所述第一间隙和第二间隙内,所述推、挽磁电阻传感单元串分别电连接成推臂和挽臂，所述推臂和挽臂包含的所述磁电阻传感单元串数量相同，且所述推臂和挽臂电连接成推挽式磁电阻传感单元电桥，所述磁电阻传感单元具有X向磁场敏感方向。

2.根据权利要求1所述的一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，还包括校准线圈和/或重置线圈，所述校准线圈包括平行于所述推、挽磁电阻传感单元串的校准直导线，当校准电流通过所述校准线圈时，在所述推、挽磁电阻传感单元串处分别产生沿X和-X方向幅度相同的校准磁场分量；所述重置线圈包括垂直于所述推、挽磁电阻传感单元串的重置直导线，当重置线圈通重置电流时，在所有磁电阻传感单元处沿Y方向或-Y方向产生幅度相同磁场分量。

3.根据权利要求1所述的一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，所有所述第一梳齿尺寸相同，所有所述第二梳齿尺寸相同，所有所述第一间隙尺寸相同，所有所述第二间隙尺寸相同，所述第一间隙尺寸和所述第二间隙尺寸相同。

4.根据权利要求1或2所述的一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，所述磁电阻传感单元为GMR自旋阀或者TMR传感单元，其中钉扎层方向平行于Y轴方向，自由层方向平行于X轴方向。

5.根据权利要求4所述的一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，没有外加磁场时，所述磁电阻传感单元通过永磁偏置，双交换作用、形状各向异性或者任意结合来使磁性自由层的磁化方向与磁性钉扎层的磁化方向垂直。

6.根据权利要求1所述的一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，所述推挽式磁电阻传感单元电桥为半桥、全桥或者准桥。

7.根据权利要求1所述的一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，所述第一梳齿数量为2*N+1时，N为大于1的整数，所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串交替分布在2*N个所述第一间隙和所述第二间隙内。

8.根据权利要求1所述的一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，所述第一梳齿数量为2*N+2时，N为大于1的整数，所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串交替分布在除位于正中间的所述第一间隙和所述第二间隙之外的其他2*N个所述第一间隙和所述第二间隙内。

9.根据权利要求1所述的一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，所述第一梳齿数量为2时，所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串交替的分布在所述第一间隙和所述第二间隙内。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，任一个所述推磁电阻传感单元串均有一个与之相对于所述第一梳状软磁通量集中器的X轴中心线对称的所述挽磁电阻传感单元串。

11.根据权利要求1或3所述的一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，随着所述第一梳齿宽度Lx10和所述第二梳齿宽度Lx2之和相对于所述第一间隙、所述第二间隙宽度gapy的比率（Lx10+Lx20）/gapy增加，所述推挽式磁电阻传感单元电桥增益增加。

12.根据权利要求1所述一种交叉指状Y轴磁电阻传感器，其特征在于，所述第一梳座和第二梳座的X端和-X端均对齐。