[实用新型]热敏打印头及应用该热敏打印头的热敏打印机有效

专利信息
申请号: 201520388340.6 申请日: 2015-06-08
公开(公告)号: CN204701284U 公开(公告)日: 2015-10-14
发明(设计)人: 姜建超 申请(专利权)人: 武汉今域通半导体有限公司
主分类号: B41J2/34 分类号: B41J2/34
代理公司: 北京睿邦知识产权代理事务所(普通合伙) 11481 代理人: 徐丁峰;付伟佳
地址: 430070 湖北省武汉市东湖开发区*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 热敏 打印头 应用 打印机
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及打印机领域,具体地,涉及一种热敏打印头及应用该热敏打印头的热敏打印机。

背景技术

热敏打印机的使用日益广泛。热敏打印头(thermal print head,TPH)是热敏打印机的重要部件。热敏打印头通常由一排加热元件构成。这些元件都具有相同的电阻,这些元件排列致密,从200dpi到600dpi不等。这些元件在通过一定电流时会很快产热,形成高温。当热敏纸接触到这些发热元件时,纸张表面的热敏感涂层就会发生化学变化,现出颜色。

传统的厚膜型热敏打印头的基板上的薄金属镀层一般采用高温烧结含金、银等贵金属的浆料来制作,因此材料成本居高不下,并且薄金属膜层制作过程形成的缺陷难以控制。

因此,有必要提出一种热敏打印头以及应用该热敏打印头的热敏打印机,从而降低成本并解决现有技术中存在的一些问题。

实用新型内容

根据本实用新型的一个方面,提供一种热敏打印头,其包括:

基板;

蓄热釉层,其形成在所述基板上;

公共母线和叉状电极,所述公共母线和所述叉状电极均形成在所述蓄热釉层上,且所述叉状电极的一端连接至所述公共母线,所述公共母线和所述叉状电极是由厚膜工艺制作的贵金属膜层形成的;

保护釉层,其覆盖所述叉状电极的一部分,仅露出所述叉状电极的远离所述公共母线的端部,且所述保护釉层还覆盖所述公共母线的靠近所述叉状电极的部分;以及

导电线路,其形成在所述蓄热釉层上且连接至所述叉状电极的所述露出的端部,所述导电线路由贱金属形成。

优选地,所述叉状电极是由金形成的,所述公共母线是由银形成的。

优选地,所述热敏打印头还包括:发热电阻,其形成在所述蓄热釉层之上且横跨在所述叉状电极上,并且位于所述保护釉层之下。

优选地,所述热敏打印头还包括:介质层,其覆盖所述蓄热釉层上的除预定区域以外的区域并且覆盖所述导电线路,所述预定区域包括待邦定的区域和外接引线的触头。

优选地,所述导电线路是采用真空镀膜、化学镀膜或溶液电镀方法镀制的贱金属膜层形成的导电线路。

优选地,所述贱金属膜层的厚度为0.4μm-4μm。

优选地,所述蓄热釉层的厚度为50μm-100μm,所述贵金属膜层的厚度为0.3μm-3μm。

优选地,所述热敏打印头还包括控制芯片,所述控制芯片通过邦线连接至所述导电线路。

优选地,所述发热电阻为含钌电阻。

根据本实用新型的另一个方面,还提供一种热敏打印机,其包括如上所述的任一种热敏打印头。

本实用新型提供的热敏打印头,利用能耐高温的厚膜工艺制作的贵金属层来制作叉状电极和公共母线等,而采用贱金属来制作导电线路,因此大幅减少贵金属(例如金、银)的耗量,降低了热敏打印头的制作成本。

在实用新型内容中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

以下结合附图,详细说明本实用新型的优点和特征。

附图说明

本实用新型的下列附图在此作为本实用新型的一部分用于理解本实用新型。附图中示出了本实用新型的实施方式及其描述,用来解释本实用新型的原理。在附图中,

图1为根据本实用新型一个实施例的热敏打印头的局部被去除的俯视示意图;以及

图2为沿图1中线A-A所截的热敏打印头的局部剖面示意图。

具体实施方式

在下文的描述中,提供了大量的细节以便能够彻底地理解本实用新型。然而,本领域技术人员可以了解,如下描述仅涉及本实用新型的较佳实施例,本实用新型可以无需一个或多个这样的细节而得以实施。此外,为了避免与本实用新型发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

本实用新型提供了一种热敏打印头。图1为根据本实用新型一个实施例的热敏打印头的局部被去除的俯视示意图;图2为沿图1中线A-A所截的热敏打印头的局部剖面示意图。如图1-2所示,该热敏打印头包括基板100、蓄热釉层110、叉状电极(包括120A和120B)、公共母线130、保护釉层140和导电线路160。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉今域通半导体有限公司,未经武汉今域通半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520388340.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top