[实用新型]具有高灵敏度的新型温敏元件

权利要求书

1.一种具有高灵敏度的新型温敏元件，其组成包括：P型区和N型区、上电极和下电极四层结构，其特征是：所述的N型区由掺磷的N型高阻硅单晶作为衬底，所述的P型区以铝作掺杂源经扩散而形成，并从N面扩散金或铂，且扩透整个P型区，所述的上电极和下电极可采用镍，或金用以形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的具有高灵敏度的新型温敏元件，其特征是：半导体PN结结构的上电极和下电极均采用全覆盖型电极结构。

3.根据权利要求1或2所述的具有高灵敏度的新型温敏元件，其特征是：也可采用掺铝的P型高阻硅单晶作为衬底，N型区以磷作掺杂源经扩散而形成，并从P面扩散金或铂，且扩透整个N型区，其上电极和下电极同样采用镍或金用以形成欧姆接触。

4.根据权利要求1或2所述的具有高灵敏度的新型温敏元件，其特征是：其N型区也可用砷作掺杂源，其P型区也可用硼或硼铝混合物作参杂源。