[实用新型]一种口腔修复装置有效
| 申请号: | 201520368782.4 | 申请日: | 2015-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN204683831U | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
| 发明(设计)人: | 刘海蓉 | 申请(专利权)人: | 青岛市市立医院 |
| 主分类号: | A61C19/06 | 分类号: | A61C19/06 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 苏雪雪 |
| 地址: | 266000 *** | 国省代码: | 山东;37 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 口腔 修复 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于口腔医疗器械技术领域,涉及一种口腔修复装置。
背景技术
口腔修复临床中,治疗比较靠后的牙齿,经常需要患者张大嘴,时间长了患者嘴巴会疲劳,进而影响到治疗。而且,在治疗靠后的牙齿的时候,经常需要大夫手持工具挡开患者的舌头,以方便磨钻和查看,使得治疗修复过程十分不方便。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术中存在的上述问题,提供了一种使用方便,同时能推开舌头阻挡的口腔修复装置。
本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现:一种口腔修复装置,包括相互平行设置的上颌托和下颌托,其特征在于:上颌托底面和下颌托顶面相峙设置,且分别设有磁片一和磁片二,还包括舌挡,所述的舌挡上设有磁片三,舌挡设在上颌托和下颌托之间,磁片三正面和磁片三背面分别朝向上颌托和下颌托,磁片三正面与磁片一相互排斥,磁片三背面与磁片二相互吸引,且磁片一和磁片二相峙的一面同级。
使用时,先将上颌托和下颌托抵在上颌和下颌上,并撑开口腔,之后将舌挡置于舌头顶部,使磁片三正面和磁片三背面分别朝向上颌托和下颌托,由于磁片三正面与磁片一相互排斥,磁片三背面与磁片二相互吸引,因此能推动舌头抵在下颌托上,此时可以检查修复上颌牙齿,也可以将舌挡置于舌头底部,并将磁片三反向设置,即可检查修复下颌牙齿,因此本装置不仅能抵住上颌和下颌,还能使舌头抵在一侧防止阻挡视线。
在上述的一种口腔修复装置中,所述的舌挡上设有绑舌带,且能通过绑舌带将舌挡绑在舌头上。
通过绑舌带将舌挡绑在舌头上使得连接更加稳定。
在上述的一种口腔修复装置中,还包括带螺纹的调节杆,调节杆顶端和底端分别设有挡块一和挡块二,所述的上颌托和下颌托分别设有环形定位环一和环形定位环二,还包括螺帽一和螺帽二,所述的螺帽一和螺帽二分别与调节杆螺接,所述的上颌托和下颌托分别通过定位环一和定位环二套在所述的调节杆上,且所述的定位环一设在螺帽一和挡块一之间,定位环二设在螺帽二和挡块二之间,且能朝向挡块一和挡块二方向分别旋转螺帽一和螺帽二使螺帽一和螺帽二推动上颌托和下颌托分别移动。
因此通过螺帽一和螺帽二推动上颌托和下颌托分别移动来撑开口腔,使得修复更加顺利。
在上述的一种口腔修复装置中,所述的挡块一和挡块二螺接在所述的调节杆顶端和底端,且挡块一端部和挡块二端部均为球形曲面结构。
因此避免挡块一和挡块二破坏口腔。
与现有技术相比,本实用新型具有如下优点:
使用时,先将上颌托和下颌托抵在上颌和下颌上,并撑开口腔,之后将舌挡置于舌头顶部,使磁片三正面和磁片三背面分别朝向上颌托和下颌托,由于磁片三正面与磁片一相互排斥,磁片三背面与磁片二相互吸引,因此能推动舌头抵在下颌托上,此时可以检查修复上颌牙齿,也可以将舌挡置于舌头底部,并将磁片三反向设置,即可检查修复下颌牙齿,因此本装置不仅能抵住上颌和下颌,还能使舌头抵在一侧防止阻挡视线。
附图说明
图1是本装置结构示意图。
图中,
1、上颌托;11、磁片一;12、定位环一;
2、下颌托;21、磁片二;22、定位环二;
3、舌挡;31、磁片三;32、绑舌带;
4、调节杆;41、挡块一;42、挡块二;43、螺帽一;44、螺帽二。
具体实施方式
以下是本实用新型的具体实施例并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步的描述,但本实用新型并不限于这些实施例。
如图1所示,本实用新型一种口腔修复装置,包括相互平行设置的上颌托1和下颌托2,上颌托1底面和下颌托2顶面相峙设置,且分别设有磁片一11和磁片二21,还包括舌挡3,舌挡3上设有磁片三31,舌挡3设在上颌托1和下颌托2之间,磁片三31正面和磁片三31背面分别朝向上颌托1和下颌托2,磁片三31正面与磁片一11相互排斥,磁片三31背面与磁片二21相互吸引,且磁片一11和磁片二21相峙的一面同级。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛市市立医院,未经青岛市市立医院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520368782.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:栅极及晶体管的形成方法
- 下一篇:一种半导体器件的形成方法





