[实用新型]三极漏电保护器

权利要求书

1.三极漏电保护器，其特征在于，包括：

一个三相半桥整流模块(20)，其输入端连接到三相电源；

一个降压模块(30)和一个脱扣模块，其串联在该三相半桥整流模块(20)的输出端；

一个采样和处理模块(40)，其连接到该降压模块(30)的输出端；以及

一个用于控制所述脱扣模块的开关元器件，其连接在所述脱扣模块的输入端，并用于接收所述采样和处理模块(40)的控制信号；

在发生漏电的情况下，所述采样和处理模块(40)输出控制信号，以使得所述开关元器件得以接通，进而使得所述脱扣模块断开。

2.如权利要求1所述的三极漏电保护器，其特征在于，还包括：一个浪涌电压保护模块(50)，其连接在所述三相电源与所述三相半桥整流模块(20)之间。

3.如权利要求2所述的三极漏电保护器，其特征在于，所述开关元器件为高压开关元器件(70)，所述脱扣模块为高压脱扣模块(60)，该高压脱扣模块(60)连接到所述三相半桥整流模块(20)和所述高压开关元器件(70)之间，所述高压开关元器件(70)连接到所述采样和处理模块(40)。

4.如权利要求3所述的三极漏电保护器，其特征在于，所述高压脱扣模块(60)为高压脱扣线圈，所述高压开关元器件(70)为可控硅器件(Q1)或者高压MOS管。

5.如权利要求2所述的三极漏电保护器，其特征在于，所述开关元器件为低压开关元器件(90)，所述脱扣模块为低压脱扣模块(80)，该低压脱扣模块(80)连接在所述降压模块(30)和所述低压开关元器件(90)之间，所述低压开关元器件(90)连接到所述采样和处理模块(40)。

6.如权利要求5所述的三极漏电保护器，其特征在于，其中所述低压脱扣模块(80)为低压脱扣线圈，所述低压开关元器件(90)为低压MOS管(Q2)或三极管。

7.如权利要求3或5所述的三极漏电保护器，其特征在于，所述三相半桥整流模块(20)包括：

一个第一二极管(D1)，其正极连接到所述三相电源的第一相(A)；

一个第二二极管(D2)，其正极连接到所述三相电源的第二相(B)；

一个第三二极管(D3)，其负极连接到所述三相电源的第二相(B)；以及

一个第四二极管(D4)，其负极连接到所述三相电源的第三相(C)。

8.如权利要求3或5所述的三极漏电保护器，其特征在于，所述三相半桥整流模块(20)包括：

一个第一二极管(D1)，其正极连接到所述三相电源的第二相(B)；

一个第二二极管(D2)，其正极连接到所述三相电源的第三相(C)；

一个第三二极管(D3)，其负极连接到所述三相电源的第一相(A)；以及

一个第四二极管(D4)，其负极连接到所述三相电源的第二相(B)。

9.如权利要求3或5所述的三极漏电保护器，其特征在于，所述三相半桥整流模块(20)包括：

一个第一二极管(D1)，其正极连接到所述三相电源的第一相(A)；

一个第二二极管(D2)，其正极连接到所述三相电源的第三相(C)；

一个第三二极管(D3)，其负极连接到所述三相电源的第二相(B)；以及

一个第四二极管(D4)，其负极连接到所述三相电源的第三相(C)。

10.如权利要求3或5所述的三极漏电保护器，其特征在于，所述三相半桥整流模块(20)包括：

一个第一二极管(D1)，其正极连接到所述三相电源的第二相(B)；

一个第二二极管(D2)，其正极连接到所述三相电源的第三相(C)；

一个第三二极管(D3)，其负极连接到所述三相电源的第一相(A)；以及

一个第四二极管(D4)，其负极连接到所述三相电源的第三相(C)。

11.如权利要求3或5所述的三极漏电保护器，其特征在于，所述三相半桥整流模块(20)包括：

一个第一二极管(D1)，其正极连接到所述三相电源的第一相(A)；

一个第二二极管(D2)，其正极连接到所述三相电源的第三相(C)；

一个第三二极管(D3)，其负极连接到所述三相电源的第一相(A)；以及

第四二极管(D4)，其负极连接到所述三相电源的第二相(B)。

12.如权利要求3或5所述的三极漏电保护器，其特征在于，所述三相半桥整流模块(20)包括：

一个第一二极管(D1)，其正极连接到所述三相电源的第二相(B)；

一个第二二极管(D2)，其正极连接到所述三相电源的第三相(C)；

一个第三二极管(D3)，其负极连接到所述三相电源的第一相(A)；以及

一个第四二极管(D4)，其负极连接到所述三相电源的第三相(C)。