[实用新型]一种电源滞后电路

权利要求书

1.一种电源滞后电路，包括时钟电路、MOSFET管、电源供给Vcc和芯片电源供给Vdd，其特征是：向MOSFET管发送控制信号CTL的时钟电路连接MOSFET管的栅极G，MOSFET管的漏极D串联芯片电源供给Vdd，电源供给Vcc向电源滞后电路供电，所述的MOSFET管的漏极D与源极S在电源供给Vcc和芯片电源供给Vdd之间构建了一条接地通道。

2.根据权利要求1所述的一种电源滞后电路，其特征是：所述的电源滞后电路包括两种类型，分别为N沟道MOSFET型电源滞后电路和P沟道MOSFET型电源滞后电路。

3.根据权利要求2所述的一种电源滞后电路，其特征是：所述的电源滞后电路为N沟道MOSFET型电源滞后电路时，还包括电阻R，起分压作用的电阻R串联在电源供给Vcc和MOSFET管的漏极D中间，MOSFET管的源极S接地，当时钟电路输出给MOSFET管的栅极G的控制信号CTL为高电平时，MOSFET管为开启状态，芯片处于未上电状态；当时钟电路输出给MOSFET管的栅极G的控制信号CTL为低电平时，MOSFET管为全夹断状态，芯片处于上电状态。

4.根据权利要求2所述的一种电源滞后电路，其特征是：所述的电源滞后电路为P沟道MOSFET型电源滞后电路时，MOSFET管的源极S与电源供给Vcc串联，当时钟电路输出给MOSFET管的栅极G的控制信号CTL为高电平时，MOSFET管为全夹断状态，芯片处于未上电状态；当时钟电路输出给MOSFET管的栅极G的控制信号CTL为低电平时，MOSFET管为开启状态，芯片处于上电状态。