[实用新型]双钕磁加强型同轴喇叭

说明书

技术领域

本实用新型涉及喇叭领域，具体而言，涉及同轴喇叭。

背景技术

同轴喇叭因其具备低音和高音功能，已得到广泛的应用。近年来，同轴喇叭的技术经多方研究，已各有成果且各具特色，但世上没有完美的喇叭。

中国索威（ SO-VOIOE ）公司的 ISP 共点同轴同轴喇叭没有独立的高、低音驱动部分，而在一个共用的磁路中，同时放置高、低音圈，驱动各自的振膜，产生声场。共用磁路同轴扬声器由于高低音圈共用一个的磁路，两个音圈通电后相当于两个电磁铁，“同性相吸、异性相斥”，造成相互干扰，导致两个音圈不能正确的运动。在大功率和大动态的情况下，干扰会更明显。

英国天朗（ TANNOY ）公司的喇叭采用后置双磁路同轴技术，高音部分位于低音部分的后面，必须通过高音号筒来调整高低音之间的相位差保证喇叭还原的音频声场相位正确，虽该结构形式可从容地分配高低音部分功率，但高音号筒因几何尺寸的关系，在整个高频范围的移相作用不一致。尽管对号筒进行精心设计，高低音声场在不同的频段依然存在相位差。

英国开佛（ KEF ）公司的喇叭采用前置双磁路 Uni-Q 同轴技术，KEF的高音部分装在低音部分里面，且高音的球顶音膜位于低音锥盆底部，以保证高低音声场的相位正确， 但由于高音部分置于低音部分中间，高音部分受体积和散热状况的影响，高音部分的功率不宜做大。高音部分基本上使用磁液高音单元，制造成本高。

实用新型内容

本实用新型旨在提供双钕磁加强型同轴喇叭，以解决现有技术中高低音圈相互干扰，高低音声场存在相位差，制造成本高等技术问题。

双钕磁加强型同轴喇叭，包括盘架、鼓纸、弹波、透气网帽、磁铁、T铁，所述磁铁包括第一钕磁、第二钕磁，所述T铁上方由下至上依次设有高音线圈、第一华司、第一钕磁、第二华司、第二钕磁、低音线圈，且均为环形且位于同一轴线上，中空部分穿插在所述T铁的竖直部分，所述T铁底部中央设有相位塞，所述相位塞下方设有高音振膜和高音铝后盖。

进一步地，所述T铁中央开有1圆形通孔，所述圆形通孔顶端连接有纯铝材号角。

由此可知，本实用新型的优点在于：通过设计双钕磁，增大磁场密度，提高效率，音色稳定，还原更准；通过把高音圈和低音圈上下设置，具有专门的钕磁配合工作，不存在相互干扰，灵敏度高；相位准确，形成点声源。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

为了解决现有技术中高低音圈相互干扰，高低音声场存在相位差，制造成本高等技术问题，现提供双钕磁加强型同轴喇叭。

下面将结合本实用新型中的附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，双钕磁加强型同轴喇叭，包括盘架、鼓纸1、弹波、透气网帽2、磁铁、T铁，所述磁铁包括第一钕磁9、第二钕磁11，所述T铁上方由下至上依次设有高音线圈5、第一华司8、第一钕磁9、第二华司10、第二钕磁11、低音线圈4，且均为环形且位于同一轴线上，中空部分穿插在所述T铁的竖直部分，所述T铁底部中央设有相位塞7，所述相位塞7下方设有高音振膜6和高音铝后盖，所述T铁开有中央开有1圆形通孔，所述圆形通孔顶端连接有纯铝材号角3。

当不同的电子能量传至高、低音圈时，高、低音圈分别产生一种能量与第一钕磁铁和第二钕磁铁的磁场互动，这种互动造成鼓纸振动，电子能量随时变化，喇叭的高、低音圈会往前或往后运动，因此喇叭的鼓纸就会跟着运动，动作使空气的疏密程度产生变化而产生声音。

本实用新型的优点在于：通过设计双钕磁，增大磁场密度，提高效率，音色稳定，还原更准；通过把高音圈和低音圈上下设置，具有专门的钕磁配合工作，不存在相互干扰，灵敏度高；相位准确，形成点声源。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。