[实用新型]半导体激光器单片式宏通道热沉及半导体激光器

权利要求书

1.半导体激光器单片式宏通道热沉，包括热沉主体(1)，热沉主体(1)上设有芯片安装区(2)和水冷区(3)，芯片安装区(2)位于热沉主体(1)的一端，水冷区(3)位于靠近芯片安装区(2)的位置，其特征在于，所述水冷区(3)上设有贯通热沉主体(1)的格栅；格栅由至少两个平行排列的格栅孔(4)组成，每个格栅孔(4)包括两个相互平行的侧壁(41)以及用于衔接两个侧壁(41)的衔接端(42)。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器单片式宏通道热沉，其特征在于，所述格栅孔(4)的衔接端(41)为圆弧形状，且

每个格栅孔(4)中两个侧壁(41)之间的距离明显小于侧壁(41)的长度。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器单片式宏通道热沉，其特征在于，所述格栅孔(4)的形状为矩形，矩形中一组相互平行的边构成所述侧壁(41)，另一组相互平行的边构成所述衔接端(42)。

4.根据权利要求2或3所述的半导体激光器单片式宏通道热沉，其特征在于，所述格栅包括至少三个格栅孔(4)，格栅孔(4)平行排列后，其排列方向定义出一条基准线(8)，基准线(8)与所述芯片安装区(2)的长边平行。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器单片式宏通道热沉，其特征在于，靠近所述芯片安装区(2)的各个所述衔接端(42)到芯片安装区(2)的距离都相等。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器单片式宏通道热沉，其特征在于，所述热沉主体(1)在所述芯片安装区(2)所在的一面上设有两个密封槽(5)，其中一个密封槽环绕于所述水冷区(3)的周围，另一个密封槽位于远离芯片安装区(2)的一端。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器单片式宏通道热沉，其特征在于，所述热沉主体(1)在背离所述芯片安装区(2)所在的一面上设有两个密封槽，且与芯片安装区(2)所在一面上的两个密封槽位置对应。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器单片式宏通道热沉，其特征在于，所述芯片安装区(2)的两侧设置有缺口(7)，且

水冷区(3)的长度不小于芯片安装区(2)的长度。

9.根据权利要求1-3中任一所述的半导体激光器单片式宏通道热沉，其特征在于，所述热沉主体(1)的厚度为1.0mm-10.0mm，长度为10mm-30mm，宽度为10mm-20mm；所述水冷区(3)的宽度为1mm-10mm；所述芯片安装区(2)的最外侧边到所述格栅孔(4)中心的距离为4mm-8mm；相邻两个所述格栅孔(4)之间的距离不小于0.2mm；格栅孔(4)从一个衔接端到另一衔接端的距离为2.0mm-5mm，每个格栅孔(4)的两个平行侧壁(41)之间的距离为0.3mm-2.0mm。

10.含有权利要求1所述半导体激光器单片式宏通道热沉的半导体激光器，其特征在于，包括自下而上依次设置的下通水块(11)，下绝缘片(12)，正电极片(13)，半导体激光器模块(14)，负电极片(15)，上绝缘片(16)，上通水块(17)；所述的半导体激光器模块(14)为多个半导体激光器单元堆叠而成，且半导体激光器模块内设有液体制冷通道；所述的半导体激光器单元包括激光芯片，半导体激光器单片式宏通道热沉，绝缘层和负极连接片，所述半导体激光器单片式宏通道热沉包括热沉主体(1)，热沉主体(1)上设有芯片安装区(2)和水冷区(3)，芯片安装区(2)位于热沉主体(1)的一端，水冷区(3)位于靠近芯片安装区(2)的位置，所述水冷区(3)上设有贯通热沉主体(1)的格栅；格栅由至少两个平行排列的格栅孔(4)组成，每个格栅孔(4)包括两个相互平行的侧壁(41)以及用于衔接两个侧壁(41)的衔接端(42)。