[实用新型]一种提纯单晶硅生产中埚底料的酸泡处理装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能光伏技术领域，特别的涉及一种提纯单晶硅生产中埚底料的酸泡处理装置。

背景技术

在单晶硅的生产过程中，单晶拉制完成之后，石英坩埚里面会剩余少量的硅材料，称为埚底料，拉晶产生的埚底料与石英埚粘在一起很难处理。目前常用的处理方法为，先用锤子将埚底料和石英敲击分离开，但是仍然有少量石英粘在埚底料上无法去除，然后将带石英的埚底料放入盛满氢氟酸的容器中，石英与氢氟酸发生反应将石英腐蚀掉，得到纯净的埚底料。当时所用工艺为将埚底料置于盛满氢氟酸的容器中，由于容器中的酸为静止状态，存在反应不充分，处理效率低等缺点。

有鉴于此，需要发明一种处理时间短，工作效率高的提纯单晶硅生产中埚底料的酸泡处理装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种提纯单晶硅生产中埚底料的酸泡处理装置，其具备结构简单，处理高效的特点。

为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案如下：

一种提纯单晶硅生产中埚底料的酸泡处理装置，其包括酸泡池、下连接管道、沉淀池和上连接管道，所述下连接管道一端与所述酸泡池的底部相连通，所述下连接管的另一端与所述沉淀池的底部相连通，所述下连接管上安装有阀门，所述上连接管道设置于所述酸泡池和所述沉淀池的上方，所述上连接管道的一端伸入所述酸泡池内，所述上连接管道的另一端伸入所述沉淀池内，所述上连接管道上设置有耐酸循环泵，所述沉淀池的底部设置有放酸口。

作为本实用新型进一步的改进，所述酸泡池为长、宽、高均为1000mm的上部开口的PVC材质的池子；所述沉淀池为长、宽为500mm，高1000mm的上部开口的PVC材质的池子；所述上下连接管道为直径50mm的PVC材质的管道。

作为本实用新型进一步的改进，所述下连接管道2的两端分别焊接在酸泡池和沉淀池距离地面100mm的位置。

作为本实用新型进一步的改进，所述上连接管道两端别置于酸泡池和沉淀池的上口往下300mm的位置。

作为本实用新型进一步的改进，所述放酸口位于沉淀池距离地面100mm的位置。

与现有技术相比，本实用新型所取得的有益效果如下：

本实用新型装置采用耐酸循环泵将酸循环起来，增加了酸与埚底料的接触面积，加快酸与石英的接触冲刷大大提高酸的腐蚀强度减少酸泡时间，提高了处理埚底料的工作效率。具备结构简单，处理高效的特点。

附图说明

附图1为本实用新型的结构示意图；

在附图中：1酸泡池、2下连接管道、3阀门、4沉淀池、5上连接管道、6耐酸循环泵、7放酸口。

具体实施方式

以下结合附图1对本实用新型进行进一步详细的叙述。

如附图1所示，一种提纯单晶硅生产中埚底料的酸泡处理装置，包括酸泡池1、下连接管道2、阀门3、沉淀池4、上连接管道5、耐酸循环泵6和放酸口7，所用材料均为PVC材料。所述酸泡池1为长、宽、高均为1000mm的上部开口的PVC材质的池子；所述沉淀池4为长、宽为500mm，高1000mm的上部开口的PVC材质的池子；所述上连接管道2和下连接管道5为直径50mm的PVC材质的管道。所述下连接管道2焊接到所述酸泡池1和所述沉淀池4之间，并连通所述酸泡池1和所述沉淀池4，所述下连接管道2中间装有用于打开或关闭所述下连通管道2的阀门3，所述下连接管道2两端分别焊接在所述酸泡池1和所述沉淀池4距离地面100mm的位置。所述上连接管道5置于所述酸泡池1和所述沉淀池4的上方位置，所述上连接管道5两端的进口和出口分别置于所述酸泡池1和所述沉淀池4的上口往下300mm的位置。上连接管路5中间装有耐酸循环泵6。放酸口7位于沉淀池4距离地面100mm的位置。

本实用新型是基于以下原理形成的：

静止腐蚀又称为静磨损腐蚀。流动（冲刷）腐蚀是被腐蚀物品与流体（酸）之间由于高速相对运动而引起的被腐蚀物品的损坏现象，是被腐蚀物品受冲刷和腐蚀交互作用的结果，是一种危害性较大的局部腐蚀。 冲蚀就是被腐蚀物品表面与腐蚀流体冲刷的联合作用，而引起材料局部的腐蚀。 在发生这种腐蚀时，被腐蚀物品离子或腐蚀产物因受高速腐蚀流体冲刷而快速溶解或分解，使新鲜的被腐蚀品表面与腐蚀流体直接接触，从而加速了腐蚀过程。

本实用新型的工作过程如下：

先将埚底料放入酸泡池中然后打开阀门3，并确认放酸口7保持关闭状态，开启耐酸泵6，使酸从酸泡池1通过下连接管道2流到沉淀池4内，再通过上连接管道5流动到酸泡池1内，形成循环。处理完成后，打开放酸口7，将酸放出。

以上所述实施方式仅为本实用新型的优选实施例，而并非本实用新型可行实施的穷举。对于本领域一般技术人员而言，在不背离本实用新型原理和精神的前提下对其所作出的任何显而易见的改动，都应当被认为包含在本实用新型的权利要求保护范围之内。