[实用新型]一种量子点五结太阳能电池

权利要求书

1.一种量子点五结太阳能电池，其特征在于，依次包括：

GaAs帽层、第一结Al_xGa_1-xIn_0.5P电池、第一隧穿结、第二结Al_xGa_1-xAs电池、第二隧穿结、第三结GaAs电池、第三隧穿结、键合接触层、第四结In_xGa_1-xAs_yP_1-y电池、第四隧穿结、第五结In_xGa_1-xAs电池、InP缓冲层和InP衬底；

其中，所述第三结GaAs电池依次包括：第三结GaAs电池的窗口层、第三结GaAs电池的发射层、量子点浸润层、量子点复合层和第三结GaAs电池的基区层；

所述键合接触层依次为基于所述第三隧穿结外延生长的GaAs键合接触层和基于所述第四结In_xGa_1-xAs_yP_1-y电池外延生长的InP键合接触层。

2.根据权利要求1所述的量子点五结太阳能电池，其特征在于：所述量子点浸润层为具有规整图形的量子点浸润层。

3.根据权利要求2所述的量子点五结太阳能电池，其特征在于：所述InP缓冲层的厚度为0.1-0.3μm的，所述InP键合接触层的厚度为100-1000nm。

4.根据权利要求3所述的量子点五结太阳能电池，其特征在于：所述GaAs帽层为n型掺杂、厚度为100-500nm，所述第三结GaAs电池的窗口层的厚度为30-200nm，所述第三结GaAs电池的发射层的厚度为50-200nm，所述量子点浸润层的厚度为20-100nm，所述第三结GaAs电池的基区层的厚度为2000-4000nm，所述GaAs键合接触层的厚度为100-1000nm。

5.根据权利要求4所述的量子点五结太阳能电池，其特征在于：

所述第五结In_xGa_1-xAs电池依次包括厚度50-400nm的p型掺杂InP背场层、厚度2000-5000nm的p型掺杂In_xGa_1-xAs基区、厚度50-400nm的n型掺杂In_xGa_1-xAs发射区和厚度30-200nm的n型掺杂InP窗口层；所述第四隧穿结依次包括为厚度10-100nm的n型InP层和厚度10-100nm的p型InP层；所述第四结In_xGa_1-xAs_yP_1-y电池依次包括厚度30-300nm的p型掺杂InP背场层、厚度2000-5000nm的p型掺杂In_xGa_1-xAs_yP_1-y基区、厚度50-400nm的n型掺杂In_xGa_1-xAs_yP_1-y发射区和厚度30-200nm的n型掺杂InP窗口层；其中，0.3≤x≤0.8，0.3≤y≤0.7。