[实用新型]一种真空灭弧室触头有效

专利信息
申请号: 201520338784.9 申请日: 2015-05-23
公开(公告)号: CN204577320U 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 吴或龙 申请(专利权)人: 浙江森光电气科技有限公司
主分类号: H01H33/664 分类号: H01H33/664
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摘要:
搜索关键词: 一种 真空 灭弧室触头
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及低压供配电的电真空器件技术领域,更具体地说,它涉及一种用在真空灭弧室上的触头。

背景技术

真空灭弧室,是中高压电力开关的核心部件,其主要作用是,通过管内真空优良的绝缘性使中高压电路切断电源后能迅速熄弧并抑制电流,避免事故和意外的发生,主要应用于电力的输配电控制系统。

触头是产生电弧、熄灭电弧的部位,是真空灭弧室的核心部件,触头包括静触头、动触头,分别固定在静导电杆、动导电杆上,触头结构对灭孤室的开断能力有很大影响,采用不同结构触头产生的灭弧效果有所不同的,常采用以采用纵磁场杯状结构触头为主。

在如图1所示的杯状触头结构中,当有电流通过时,电流在杯状(触头座)上可以分解为切向分量I1和轴向分量I2。当触头带电分离时,在触头间隙产生真空电弧,I1在触头间隙产生纵向磁场B1,I2产生切向磁场B2,因为触头产生的纵向磁场与电弧电流是交变的,当大块的金属体处在不断变化的磁场中时,在金属体内部要产生感生电流,这样电流在金属体内部自成闭合回路,即产生了涡电流,涡电流与触头纵向磁场一样是交变的,交变涡电流产生了变化的电流磁场,这一电流磁场该的流向与切向磁场B2类似,不与切向磁场B2产生交错,但是与纵向磁场B1产生交错,对触头纵向磁场产生耗损,使触头磁场滞后于电流,影响触头开断能力。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种用于真空灭弧室上的、能减少触头在交变磁场中产生的涡流,降低涡流对触头开断能力的影响的触头。

为实现上述目的,本实用新型提供了如下技术方案:

一种真空灭弧室触头,包括两个触头,分别为静触头、动触头,所述触头上分别设置有供导电杆安装的安装孔,所述静触头、动触头上均设置有若干通槽,所述通槽自内心朝外方向设置,所述通槽将触头分割成若干独立的块。

如此设置,静触头和动触头上开设有通槽的目的是为了阻断原有的电流磁场的路径,使切向磁场B2被隔开,隔开的每一部分的辐向磁通略有减少,其感应电动势也相应减少,与纵向磁场B1产生交错的面积较小,涡流通过的平均截面积明显减小,因此,该涡流对触头纵向磁场产生耗损也相应的减小,使触头磁场不怎么会滞后于电流,或者说是减小了电流对触头磁场影响,从而提高了触头开断能力。

进一步设置:所述通槽由触头的外周面向内切割而成,所述通槽到触头中心的最小距离大于安装孔的半径。

进一步设置:所述静触头、动触头呈圆盘状设置。

进一步设置:所述静触头、动触头相抵接的端面上均设置有倒斜角。

通过采用上述技术方案,本实用新型相对现有技术相比具有:静触头和动触头上特有的通槽的分布位置,可以阻断原有的电流磁场的路径,减小了电流磁场对原有的触头纵向磁场的影响,从而降低触头纵向磁场的损耗,提高了触头开断能力。

附图说明

图1为本实用新型的背景技术的附图说明;

图2为一种真空灭弧室触头的真空灭弧室整体示意图;

图3为一种真空灭弧室触头的轴测图;

图4为一种真空灭弧室触头的俯视图。

图中:1、静触头;2、动触头;3、安装孔;4、通槽;5、倒斜角;11、静导电杆;22、动导电杆。

具体实施方式

参照图1至图4对本实用新型一种真空灭弧室触头实施例做进一步说明。

一种真空灭弧室触头,包括静触头1和动触头2,静触头1和动触头2呈圆盘状设置,静触头1、动触头2上分别设置有供静导电杆11、动导电杆22安装的安装孔3。

静触头1、动触头2上均设置有若干竖向的通槽4,通槽4优选设置有六条,且通槽4的方向均自内心朝外方向设置,相对应的将静触头1或动触头2分割成6块,两两之间被通槽4隔断。

通槽4由触头的外周面向内切割而成,通槽到触头中心的最小距离大于安装孔3的半径。

静触头1、动触头2的两两相对的端面上均设置有倒斜角5,更好的使静触头1、动触头2相互抵触。

纵磁场触头结构之所以具有良好的开断能力,是因为当触头分开时,电弧电流产生一个纵向作用磁场(也就是背景技术中提到的纵向磁场B1)。这个磁场控制着电弧电流在触头表面均匀分布,并且始终保持扩散形态,使触头表面不会产生局部严重熔化和金属蒸发。电弧电流具有电弧电压低,电弧能量小的优良特性。因此,当电弧电流过零时,介质绝缘强度恢复得很快,为成功开断电流创造了条件。

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