[实用新型]带有输出电压补偿电路的电源装置有效
申请号: | 201520315339.0 | 申请日: | 2015-05-12 |
公开(公告)号: | CN204993060U | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | 王文建 | 申请(专利权)人: | 浙江商业职业技术学院 |
主分类号: | H02M3/28 | 分类号: | H02M3/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 输出 电压 补偿 电路 电源 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及电源装置,尤其涉及到带有输出电压补偿电路的电源装置。
背景技术
在电源系统中,由于输出回路上有整流二极管,会在整流二极管上有压降导致输出精度不够准确,影响输出效率,为此设置了带有输出电压补偿电路的电源装置。
发明内容
本实用新型旨在提供一种能够进行输出电压补偿的电源装置。
带有输出电压补偿电路的电源装置,包括变压器、整流二极管、滤波电容、功率管、采样电阻、振荡器、RS触发器、误差放大器、采样保持电路和输出电压补偿电路:
所述变压器提供能量转换,包括原边绕组、副边绕组和辅助绕组;
所述整流二极管对所述变压器的副边绕组输出的电压实现半波整流;
所述滤波电容对所述整流二极管整流出来的电压进行滤波;
所述功率管实现对所述变压器的进行储能;
所述采样电阻是对所述变压器上的电流进行采样;
所述振荡器产生振荡信号;
所述RS触发器是根据所述误差放大器输出的电压的高低来输出占空比变化的脉宽调制信号;
所述误差放大器是对所述采样电阻上的电压VCS和经过所述采样保持电路采样的所述变压器的辅助绕组输出的电压VSP及经过所述输出电压补偿电路补偿后得到的VCO电压进行叠加得到的电压VFB的差值进行放大;
所述采样保持电路是对所述变压器的辅助绕组输出的电压进行采样;
所述输出电压补偿电路是对所述整流二极管上的电压降进行补偿,根据所述采样保持电路采样到的电压VSP的大小,这个大小和所述变压器的副边绕组上的电压是匹配的,也就是说和所述整流二极管上的电压降是匹配的,可以通过设置所述输出电压补偿电路的电压输出VCO和所述整流二极管上的电压降相等来达到对输出电压VOUT的补偿,这样所述整流二极管上的电压损耗就会得到补偿。
所述变压器的原边绕组一端接输入电压VIN,另一端接所述功率管的漏极;
所述变压器的副边绕组的一端接所述整流二极管的P极,另一端接地;
所述变压器的辅助绕组的一端接所述采样保持电路输入端,另一端接地;
所述整流二极管的P极接所述变压器的副边绕组的一端,N极接电源装置的输出VOUT;
所述滤波电容的一端接电源装置的输出VOUT,另一端接地;
所述功率管的栅极接所述RS触发器的输出端Q,漏极接所述变压器的原边绕组的一端,源极接所述采样电阻的一端和所述误差放大器的负输入端;
所述采样电阻的一端接所述功率管的源极和所述误差放大器的负输入端,另一端接地;
所述振荡器的输出接所述RS触发器的S端;
所述RS触发器的R端接所述误差放大器的输出端,S端接所述振荡器的输出端,Q端接所述功率管的栅极;
所述误差放大器的正输入端接所述输出电压补偿电路的输出端VCO和所述采样保持电路的输出端VSP的叠加电压VFB,负输入端接所述采样电阻的一端和所述功率管的源极;
所述采样保持电路的输入端接所述变压器的辅助绕组的输出端,输出端的电压VSP接所述输出电压补偿电路;
所述输出电压补偿电路的输入端接所述采样保持电路的输出端VSP,输出端VCO和所述采样保持电路的输出端VSP进行叠加得到电压VFB,这个VFB把所述整流二极管上的电压降进行了补偿。
所述输出电压补偿电路,包括第一运算放大器、第一PMOS管、第一NMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第二电阻:
所述第一运算放大器的正输入端接电压VSP,负输入端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的源极,输出端接所述第一NMOS管的栅极;
所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极,源极接电源VCC;
所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端,漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极,源极接所述第一电阻的一端和所述第一运算放大器的负输入端;
所述第一电阻的一端接所述第一NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端,另一端接地;
所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极,源极接电源VCC;
所述第二NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极,源极接地;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江商业职业技术学院,未经浙江商业职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520315339.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种环己酮氨肟化催化剂动态分离装置
- 下一篇:布袋除尘系统