[实用新型]电子装置和D类放大器有效
申请号: | 201520297094.3 | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN204948031U | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 刘启宇;林鸿武 | 申请(专利权)人: | 意法半导体研发(深圳)有限公司 |
主分类号: | H03F3/217 | 分类号: | H03F3/217;H04R3/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 放大器 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
第一比较器和第二比较器,配置用于将第一模拟音频输入信号和第二模拟音频输入信号分别转换为第一音频方波和第二音频方波;
逻辑组块,耦合用于从所述第一比较器和所述第二比较器接收所述第一音频方波和所述第二音频方波,并且配置用于:
当所述第一音频方波的占空比大于所述第二音频方波的占空比时生成表示所述第一音频方波与所述第二音频方波之间差值的第一已处理音频信号,
当所述第一音频方波的占空比小于所述第二音频方波的占空比时生成具有参考DC电平的所述第一已处理音频信号,
当所述第二音频方波的占空比大于所述第一音频方波的占空比时生成表示所述第二音频方波与所述第一音频方波之间差值的第二已处理音频信号,以及
当所述第二音频方波的占空比小于所述第一音频方波的占空比时生成具有所述参考DC电平的所述第二已处理音频信号;以及
第一输出级和第二输出级,耦合至所述逻辑组块,并且配置用于基于所述第一已处理音频信号和所述第二已处理音频信号分别生成第一音频输出信号和第二音频输出信号。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一比较器配置用于通过将所述第一模拟音频输入信号与三角波进行比较来将所述第一模拟音频输入信号转换为第一音频方波;以及其中所述第二比较器配置用于通过将所述第二模拟音频输入信号与三角波进行比较来将所述第二模拟音频输入信号转换为第二音频方波。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一比较器配置用于通过将所述第一模拟音频输入信号与锯齿波进行比较来将所述第一模拟音频输入信号转换为第一音频方波;以及其中所述第二比较器配置用于通过将所述第二模拟音频输入信号与所述锯齿波进行比较来将所述第二模拟音频输入信号转换为第二音频方波。
4.根据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,所述逻辑组块包括:
第一反相器和第二反相器,配置用于接收所述第一音频方波和所述第二音频方波并且输出所述第一音频方波和所述第二音频方波的反相;
第一与门,配置用于基于具有第一逻辑电平的所述第二音频方波的反相与所述第一音频方波来生成具有所述第一逻辑电平的所述第一已处理音频信号;以及
第二与门,配置用于基于具有所述第一逻辑电平的所述第一音频方波的反相与所述第二音频方波来生成具有所述第一逻辑电平的所述第二已处理音频信号。
5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一输出级包括:
第一放大器,配置用于接收所述第一已处理音频信号并且生成第一已放大音频信号,
第一PMOS晶体管,具有漏极、耦合至电源电压的源极、以及用于接收所述第一已放大音频信号的栅极,以及
第一NMOS晶体管,具有耦合至接地的源极、耦合至所述第一PMOS晶体管漏极的漏极、以及用于接收所述第一已放大音频信号的栅极,
其中所述第一PMOS晶体管与所述第一NMOS晶体管协作以生成所述第一音频输出信号;
以及其中所述第二输出级包括:
第二放大器,配置用于接收所述第二已处理音频信号并且生成第二已放大音频信号,
第二PMOS晶体管,具有漏极、耦合至电源电压的源极、以及用于接收所述第二已放大音频信号的栅极,以及
第二NMOS晶体管,具有耦合至接地的源极、耦合至所述第二PMOS晶体管漏极的漏极、以及用于接收所述第二已放大音频信号的栅极,
其中所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管协作以生成所述第二音频输出信号。
6.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,进一步包括负载,耦合用于接收所述第一音频输出信号和所述第二音频输出信号。
7.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第二模拟音频输入信号是所述第一模拟音频输入信号的反相;以及其中所述第一模拟音频输入信号和所述第二模拟音频输入信号是差分信号。
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