[实用新型]真空室壳体

说明书

技术领域

本发明涉及一种真空室壳体。

背景技术

通常，可使用真空处理设备(例如真空涂层设备)，来处理或加工(例如涂层)基体，例如板形基体、玻璃板、晶片或其他载体。在此，真空处理设备可具有多个室、部(隔间)或处理腔，以及具有运送系统，用于将待涂层的基体运送通过真空处理设备。真空处理设备的不同的室可借助于所谓的室壁或隔壁相互分开，例如对于水平连续涂层设备(串联-设备)来说借助于竖直室壁或竖直隔壁。在此，每个室壁(或隔壁)可以下述方式具有基体-转运-开口(基体-转运-缝隙)，即，基体可被运送通过室壁，例如从真空处理设备的第一室进入真空处理设备的第二室。

发明内容

根据不同的实施方式，多个室(隔室)可以提供在一个共同的室壳体中，其中室壳体例如可以具有多个室壁，它们限制多个室和/或相互隔开。

真空处理设备的室壳体例如可以是真空室的组成部分(例如主体)，例如是闸门室、缓冲室、转运室或处理室(例如涂层室)的组成部分(例如主体)。在此，真空室的各功能或驱动类型可根据与室壳体一起使用的室盖而限定。例如，具有一室盖的室壳体可被用作为闸门室，且具有另一室盖的室壳体可被用作为缓冲室或转运室(或处理室)，和具有再一室盖的室壳体可被用作为涂层室。为了可以将室壳体抽真空，室壳体可具有至少一个连接法兰，用于连接前级真空泵组件和/或高真空泵组件。由此，可在借助于室盖密封的室壳体中产生或提供直至少一个前级真空。

此外，在室盖上可以提供前级真空泵组件和/或高真空泵组件。此外，真空处理设备可以具有运送系统用于运送基体通过真空处理设备，例如运送系统可以具有多个运送滚筒和相应地与运送滚筒偶联的驱动部。

为将基体带入真空处理设备中，或将基体带出真空处理设备，例如可使用一个或多个闸门室，一个或多个缓冲室，和/或一个或多个转运室。为将至少一个基体带入真空处理设备中，例如至少一个基体可置于通风的闸门室中，然后，带有至少一个基体的闸门室可被抽真空，且基体可分批地从抽成真空的闸门室中被运送进入真空处理设备的邻接的真空室中(例如缓冲室中)。例如，借助于缓冲室可维持基体，且可提供小于闸门室中的压力。借助于转运室，分批被置入的基体可汇集成所谓的基体带(例如相同形式的被运送的系列的基体)，使得在基体之间仅保留小的空隙，而基体在真空处理设备的相应处理室中被处理(例如被涂层)。替选地，基体也可直接从闸门室被置入转运室中，而不使用缓冲室，这例如可导致延长的周期(将基体置入真空处理设备中所必须的时间)。

在处理室中例如可以将带入的基体处理，其中处理室例如可以具有处理室盖，将室壳体中的相应隔室覆盖并真空密封地封闭。在处理室盖上例如可以固定一个磁控管或多个磁控管，例如处理室盖可以具有至少一个管式磁控管或双管式磁控管或至少一个平面磁控管或双平面磁控管。

明显地，不同的实施方式是基于以下认识：例如在室壳体的室壁中可以这样地载入机械应力，即在敏感位置，例如基体-转运-开口的边缘处的室壁可能受到损害。明显地，当室壁受到荷载时，具有较小缝隙高度(例如缝隙高度小于约5cm，用于运送薄于约5cm的基体通过室壁)的传统狭缝状基体-转运-开口的室壁可能是机械不稳定的。明显地，由于可能置于室壳体上并因此置于室壁上的室盖，机械应力(荷载)可能进入室壁中。此外，当对真空室(用室盖封闭的室壳体)抽真空时，荷载可能由于外部气压而加大。

根据不同的实施方式，认识到：基体-传送-间隙的侧部边缘区域处的室壁可能撕裂或受损，因为基体-转运-间隙的边缘区域例如可能具有曲率半径较小(例如小于5cm)的角或圆弧，在其上面可能聚集机械应力并因此可能超过室壁的保持能力和/或负载能力。

在不同的实施方式中，在室壁中提供基体-转运-缝隙或基体-转运-开口，其中基体-转运-缝隙或基体-转运-开口具有机械稳定的几何形状。为了使基体-转运-缝隙或基体-转运-开口可同时提供分隔功能，基体-转运-缝隙或基体-转运-开口可借助于隔板(Blende)这样地被盖住，即，匹配有效的缝隙几何形状，例如使得基体-转运-缝隙或基体-转运-开口的缝隙高度可以减小到有效的缝隙高度，和/或使得基体-转运-缝隙或基体-转运-开口的缝隙宽度可以减小到有效的缝隙宽度。

明显地，在室壁中可以提供基体-转运-缝隙或基体-转运-开口，其提高了室壁的机械稳定性，其中基体-转运-缝隙或基体-转运-开口可借助于隔板匹配待运送的基体的几何形状(例如高度和/或宽度)，使得有效缝隙可以尽可能小地提供。